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    Room temperature two-dimensional electron gas scattering time, effective mass, and mobility parameters in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN heterostructures (0.07 ≤ x ≤ 0.42).
    Knight, Sean ; Richter, Steffen ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-14), Heft 18, S. 1-12
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    Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN HEMT.
    Cai, Jing ; Yao, Ruo-He ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-03-01), Heft 3, S. 1-7
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    Microstructural characterization of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN high electron mobility transistor layers on 200 mm Si(111) substrates.
    Aabdin, Zainul ; Mahfoud, Zackaria ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-10-02), Heft 14, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Role of strain and composition on the piezoelectric and dielectric response of AlxGa1−xN: Implications for power electronics device reliability.
    Mishra, Saswat ; Guda Vishnu, Kathik ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 129 (2021-02-21), Heft 7, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Characteristics of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> dual-metal gate modulation-doped field-effect transistors simulated by TCAD.
    Jia, Xiaole ; Wang, Yibo ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics, Jg. 42 (2024-05-01), Heft 3, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Physical-chemical stability of fluorinated III-N surfaces: Towards the understanding of the (0001) Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N surface donor modification by fluorination.
    Reiner, Maria ; Schellander, Josef ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-06-14), Heft 22, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Orientation-dependent band offsets between (AlxGa1−x)2O3 and Ga2O3.
    Mu, Sai ; Peelaers, H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-12-21), Heft 25, S. 1-5
    Online academicJournal
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    High-temperature electrical transport in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN modulation doped field-effect transistors.
    Lu, Changzhi ; Xie, Xuesong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-12-01), Heft 11, S. 113729-113737
    Online academicJournal
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    Characterization of DX centers in molecular-beam-epitaxial grown Si-doped AlxGa1-xAs using Schottky barriers and modulation-doped field-effect transistors.
    Subramanian, S. ; Schuller, U. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 58 (1985-07-15), Heft 2, S. 845-851
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    Formation of two-dimensional electron and hole gases in undoped AlxGa1-xAs/GaAs heterostructures.
    Hirayama, Y.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-07-01), Heft 1, S. 588-590
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    Magnetoresistance method to determine GaAs and AlxGa1-xAs mobilities in AlxGa1-xAs/GaAs modulation-doped field-effect transistor structures.
    Look, D. C. ; Norris, George B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 47 (1985-08-01), Heft 3, S. 267-269
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    Growth and mobility characterization of N-polar AlGaN channel high electron mobility transistors.
    Noshin, Maliha ; Wen, Xinyi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-08-07), Heft 6, S. 1-7
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    AlN/AlGaN/AlN quantum well channel HEMTs.
    Singhal, Jashan ; Kim, Eungkyun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-05-29), Heft 22, S. 1-6
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    Tuning composition in graded AlGaN channel HEMTs toward improved linearity for low-noise radio-frequency amplifiers.
    Papamichail, A. ; Persson, A. R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-04-10), Heft 15, S. 1-7
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    Formation and preferential orientation of Au-free Al/Ti-based ohmic contacts on different hexagonal nitride-based heterostructures.
    Geenen, F. ; Constant, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 127 (2020-06-07), Heft 21, S. 1-15
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    Multidimensional thermal analysis of an ultrawide bandgap AlGaN channel high electron mobility transistor.
    Lundh, James Spencer ; Chatterjee, Bikramjit ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 115 (2019-10-07), Heft 15, S. N.PAG- (5S.)
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    Extraction of net interfacial polarization charge from Al<subscript>0.54</subscript>In<subscript>0.12</subscript>Ga<subscript>0.34</subscript>N/GaN high electron mobility transistors grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Laurent, Matthew A. ; Gupta, Geetak ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 116 (2014-11-14), Heft 18, S. 183704-1- (6S.)
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    Influence of band non-parabolicity on the quantized gate capacitance in δ-doped MODFED of III–V and related materials.
    Bhattacharya, Sitangshu ; Dan, Surya Shankar ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 104 (2008-10-01), Heft 7, S. 74304-74312
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    Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111).
    Li, Shuiming ; Zhou, Yu ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 6 (2016-03-01), Heft 3, S. 1-5
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    Al<subscript>0.15</subscript>Ga<subscript>0.85</subscript>N/GaN high electron mobility transistor structures grown on p-type Si substrates.
    Liang, C. T. ; Chen, Kuang Yao ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-09-25), Heft 13, S. 132107-132109
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