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    Characteristics of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> dual-metal gate modulation-doped field-effect transistors simulated by TCAD.
    Jia, Xiaole ; Wang, Yibo ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics, Jg. 42 (2024-05-01), Heft 3, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Room temperature two-dimensional electron gas scattering time, effective mass, and mobility parameters in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN heterostructures (0.07 ≤ x ≤ 0.42).
    Knight, Sean ; Richter, Steffen ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-14), Heft 18, S. 1-12
    Online academicJournal
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    Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN HEMT.
    Cai, Jing ; Yao, Ruo-He ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-03-01), Heft 3, S. 1-7
    Online academicJournal
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    A Threshold‐Voltage and Drain–Source Current Model for Double‐Channel Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1−y</subscript>N/GaN High‐Electron‐Mobility Transistors.
    Cai, Jing ; Yao, Ruo-He ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 220 (2023-12-01), Heft 23, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Microstructural characterization of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN high electron mobility transistor layers on 200 mm Si(111) substrates.
    Aabdin, Zainul ; Mahfoud, Zackaria ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-10-02), Heft 14, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Role of strain and composition on the piezoelectric and dielectric response of AlxGa1−xN: Implications for power electronics device reliability.
    Mishra, Saswat ; Guda Vishnu, Kathik ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 129 (2021-02-21), Heft 7, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Characterization of Al<subscript>X</subscript>Ga<subscript>1−X</subscript>N/GaN High Electron Mobility Transistor Structures with Mercury Probe Capacitance–Voltage and Current–Voltage.
    Tucker, Eric ; Ramos, Frank ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 219 (2022-02-15), Heft 4, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Orientation-dependent band offsets between (AlxGa1−x)2O3 and Ga2O3.
    Mu, Sai ; Peelaers, H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-12-21), Heft 25, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Physical-chemical stability of fluorinated III-N surfaces: Towards the understanding of the (0001) Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N surface donor modification by fluorination.
    Reiner, Maria ; Schellander, Josef ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-06-14), Heft 22, S. 1-6
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    High‐Temperature Operation of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N (x > 0.4) Channel Metal Oxide Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistors with High‐k Atomic Layer Deposited Gate Oxides.
    Mollah, Shahab ; Hussain, Kamal ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 217 (2020-04-01), Heft 7, S. 1-9
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    Interdependence of Electronic and Thermal Transport in AlxGa1–xN Channel HEMTs.
    Chatterjee, Bikramjit ; Armstrong, Andrew M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-03-01), Heft 3, S. 461-464
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    Ultra-Wide Bandgap Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N Channel Transistors.
    Razzak, Towhidur ; Rajan, Siddharth ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 28 (2019-03-01), Heft 1/2, S. N.PAG- (14S.)
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    Evaluation of Low-Temperature Saturation Velocity in $\beta$ -(AlxGa1–x)2O3/Ga2O3 Modulation-Doped Field-Effect Transistors.
    Zhang, Yuewei ; Xia, Zhanbo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-03-01), Heft 3, S. 1574-1578
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    High-temperature electrical transport in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN modulation doped field-effect transistors.
    Lu, Changzhi ; Xie, Xuesong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-12-01), Heft 11, S. 113729-113737
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    Comparison of the AlxGa1–xN/GaN Heterostructures Grown on Silicon-on-Insulator and Bulk-Silicon Substrates.
    Tham, Wai Hoe ; Ang, Diing Shenp ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 345-352
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    Characterization of DX centers in molecular-beam-epitaxial grown Si-doped AlxGa1-xAs using Schottky barriers and modulation-doped field-effect transistors.
    Subramanian, S. ; Schuller, U. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 58 (1985-07-15), Heft 2, S. 845-851
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    A Theoretical Calculation of the Impact of GaN Cap and \Alx\Ga1-x\N Barrier Thickness Fluctuations on Two-Dimensional Electron Gas in a \GaN/\Alx\Ga1-x\N/GaN Heterostructure.
    Liu, Guipeng ; Wu, Ju ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 12, S. 4272-4275
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    Formation of two-dimensional electron and hole gases in undoped AlxGa1-xAs/GaAs heterostructures.
    Hirayama, Y.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-07-01), Heft 1, S. 588-590
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    In0.5(AlxGa1-x)0.5P HEMT's for high-efficiency low-voltage power amplifiers: Design, fabrication,...
    Wang, Yu-Chi ; Kuo, Jenn-Ming
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 47 (1999-08-01), Heft 8, S. 1404-1412
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    Theoretical Studies of 2D Electron Gas Distributions and Scattering Characteristics in Double‐Channel n‐Al<subscript>0.3</subscript>Ga<subscript>0.7</subscript>N/GaN/i‐Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN High‐Electron‐Mobility Transistors.
    Cai, Jing ; Yao, Ruo‐He ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 221 (2024-05-15), Heft 10, S. 1-11
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