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    Heavily carbon doped InGaAs lattice matched to InP grown by LP-MOCVD using TMIn, TMGa and liquid CCl/sub 4/
    Hong, K. ; Pavlidis, D.
    In: Seventh International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1995, S. 144-147
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    A comparison of TMG with TEG for the growth of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As
    Glew, Richard William ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 146-150
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    A comparison of TMG with TEG for the growth of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As.
    Glew, Richard ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 146-150
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A comparative study of selective carbon doping in MOCVD GaAs using trimethylarsenic and arsine
    Moon, Hyukju J. ; Stoebe, Thomas G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-12-01), Heft 12, S. 1351-1355
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Growth of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript> as by metalorganic chemical vapor deposition using trimethylgallium and trimethylamine alane
    Sundaram, V. S. ; Fraas, L. M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-11-01), Heft 11, S. 1047-1050
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    以三甲基鎵/第三丁基聯胺之有機金屬化學氣相沉積系統合成直列式氮化鎵奈米線之研究 ; Synthesis of vertically-aligned GaN nanorods using TMGa/TBHy MOCVD system
    黃珮珊
    2009
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    以第三丁基聯胺/三甲基鎵有機金屬化學氣相沉積系統在不同基材上成長氮化鎵一維奈米線之研究 ; Synthesis of GaN Nanowires on Different Substrates by TMGa-TBHy MOCVD System
    曾士恩
    2008
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    Mechanical Properties and Creep Behavior of Undoped and Mg-Doped GaN Thin Films Grown by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition.
    Khalfallah, Ali ; Benzarti, Zohra
    In: Coatings (2079-6412), Jg. 13 (2023-06-01), Heft 6, S. 1111-1124
    academicJournal
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    In situ FTIR and surface analysis of the reaction of trimethylgallium and ammonia
    Mazzarese, D. ; Tripathi, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989-05-01), Heft 3, S. 369-377
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Numerical Simulation and Analysis of Growth Rate of GaN Thin Films
    Li, Zhiming ; Li, Hailing ; et al.
    In: 2019 International Conference on Communications, Information System and Computer Engineering (CISCE), 2019-07-01, S. 704-707
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Understanding the influence of physical properties on the mechanical characteristics of Mg-doped GaN thin films.
    Benzarti, Z. ; Khalfallah, A. ; et al.
    In: Materials Chemistry & Physics, Jg. 307 (2023-10-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    MOCVD growth and thermal stability analysis of 1.2 µm InGaAs/GaAs multi quantum well structure.
    Chen, Xiangliu ; Xiao, Yao ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 922 (2022-11-20), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Mechanical Properties and Creep Behavior of Undoped and Mg-Doped GaN Thin Films Grown by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition
    Khalfallah, Ali ; Benzarti, Zohra
    In: Coatings; Volume 13; Issue 6; Pages: 1111, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Effects of Different InGaN/GaN Electron Emission Layers/Interlayers on Performance of a UV-A LED.
    Kim, Dohyun ; Song, Keun Man ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 10 (2020-02-15), Heft 4, S. 1514-1523
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Selective Area Heteroepitaxy of p-i-n Junction GaP Nanopillar Arrays on Si (111) by MOCVD.
    Choi, Wonsik ; Huang, Hsien-Chih ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 58 (2022-08-01), Heft 4, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Development of ZnO:Ga Transparent Conducting Oxide Thin Films through Metalorganic Chemical Vapor Deposition using various Zn and Ga Source Materials
    阮江南
    2013
    unknown
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    利用計算流體力學模擬氮化鎵2維/3維 之金屬有機化學氣相沉積產物 ; 2D/3D CFD Simulation of Metal Oxide Chemical Vapor Deposition (MOCVD) of GaN
    陳瑞祥 ; Chen, Ruei-Shiang ; et al.
    2010
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Epitaxial $\beta$ -Ga2O3 and $\beta$ -(AlxGa1−x)2O3/ $\beta$ -Ga2O3 Heterostructures Growth for Power Electronics
    Miller, R. ; Alema, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 31 (2018-11-01), Heft 4, S. 467-467
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    磷化鋁銦鎵發光二極體磷化鎵窗口層表面缺陷之改善研究 ; Improvements of Surface Defects in GaP Window Layers for AlGaInP Light-Emitting Diodes
    沈孟駿 ; Shen, Meng-Chun ; et al.
    2007
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    High Mobility and High N concentration of GaNxAs1-x Thin Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
    Hamidah, I. ; Suhandi, A. ; et al.
    In: 2008 IEEE PhotonicsGlobal@Singapore, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?

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