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    以三甲基鎵/第三丁基聯胺之有機金屬化學氣相沉積系統合成直列式氮化鎵奈米線之研究 ; Synthesis of vertically-aligned GaN nanorods using TMGa/TBHy MOCVD system
    黃珮珊
    2009
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    以第三丁基聯胺/三甲基鎵有機金屬化學氣相沉積系統在不同基材上成長氮化鎵一維奈米線之研究 ; Synthesis of GaN Nanowires on Different Substrates by TMGa-TBHy MOCVD System
    曾士恩
    2008
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    In situ FTIR and surface analysis of the reaction of trimethylgallium and ammonia
    Mazzarese, D. ; Tripathi, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989-05-01), Heft 3, S. 369-377
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Effects of Different InGaN/GaN Electron Emission Layers/Interlayers on Performance of a UV-A LED.
    Kim, Dohyun ; Song, Keun Man ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 10 (2020-02-15), Heft 4, S. 1514-1523
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    利用計算流體力學模擬氮化鎵2維/3維 之金屬有機化學氣相沉積產物 ; 2D/3D CFD Simulation of Metal Oxide Chemical Vapor Deposition (MOCVD) of GaN
    陳瑞祥 ; Chen, Ruei-Shiang ; et al.
    2010
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    Effects of Different InGaN/GaN Electron Emission Layers/Interlayers on Performance of a UV-A LED
    Kim, Dohyun ; Song, Keun ; et al.
    In: Applied Sciences; Volume 10; Issue 4; Pages: 1514, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low temperature epitaxial deposition of GaN on LTCC substrates
    Alexandrov, Dimiter ; Tot, Jonny ; et al.
    In: 2017 IEEE 5th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 2017-10-01, S. 48-54
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Growth of GaN layer with preserved nano-columnar low temperature GaN buffer to reduce the wafer bowing.
    Shin, In-Su ; Lee, Donghyun ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 546 (2013-11-01), S. 118-123
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    EFFECT OF CAPPING LAYER ON In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N QUANTUM DOTS GROWN USING NNAD METHOD BY MOCVD.
    SONG, HEON ; NAVAMATHAVAN, R. ; et al.
    In: International Journal of Nanoscience, Jg. 8 (2009-02-01), Heft 1/2, S. 197-201
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    LP-MOCVD生长InGaN及InGaN/GaN量子阱的研究 ; The Characterization of InGaN and InGaN/GaN Quantum Wells Grown by LP-MOCVD
    刘宝林 ; 陈松岩 ; et al.
    2002
    Online academicJournal
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    以有機化學氣相沉積法成長氧化鋅摻雜鎵之透明導電薄膜其特性及元件應用之研究 ; Characteristics and device applications of Ga-doped ZnO transparent conductive layers grown by MOCVD
    殷振揚 ; Yin, Chen-Yang ; et al.
    2014
    Hochschulschrift
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    Effects of reaction-kinetic parameters on modeling reaction pathways in GaN MOVPE growth
    Zhang, Hong ; Zuo, Ran ; et al.
    In: SCI, 2017
    Online academicJournal
    Zugriff:
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