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79 Treffer

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    A comparison of TMG with TEG for the growth of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As
    Glew, Richard William ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 146-150
    Online academicJournal
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    A comparison of TMG with TEG for the growth of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As.
    Glew, Richard ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 146-150
    Online academicJournal
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    A comparative study of selective carbon doping in MOCVD GaAs using trimethylarsenic and arsine
    Moon, Hyukju J. ; Stoebe, Thomas G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-12-01), Heft 12, S. 1351-1355
    Online academicJournal
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    Growth of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript> as by metalorganic chemical vapor deposition using trimethylgallium and trimethylamine alane
    Sundaram, V. S. ; Fraas, L. M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-11-01), Heft 11, S. 1047-1050
    Online academicJournal
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    Mechanical Properties and Creep Behavior of Undoped and Mg-Doped GaN Thin Films Grown by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition.
    Khalfallah, Ali ; Benzarti, Zohra
    In: Coatings (2079-6412), Jg. 13 (2023-06-01), Heft 6, S. 1111-1124
    academicJournal
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    In situ FTIR and surface analysis of the reaction of trimethylgallium and ammonia
    Mazzarese, D. ; Tripathi, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989-05-01), Heft 3, S. 369-377
    Online academicJournal
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    Mechanical Properties and Creep Behavior of Undoped and Mg-Doped GaN Thin Films Grown by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition
    Khalfallah, Ali ; Benzarti, Zohra
    In: Coatings; Volume 13; Issue 6; Pages: 1111, 2023
    academicJournal
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    Understanding the influence of physical properties on the mechanical characteristics of Mg-doped GaN thin films.
    Benzarti, Z. ; Khalfallah, A. ; et al.
    In: Materials Chemistry & Physics, Jg. 307 (2023-10-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Effects of Different InGaN/GaN Electron Emission Layers/Interlayers on Performance of a UV-A LED.
    Kim, Dohyun ; Song, Keun Man ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 10 (2020-02-15), Heft 4, S. 1514-1523
    Online academicJournal
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    Selective Area Heteroepitaxy of p-i-n Junction GaP Nanopillar Arrays on Si (111) by MOCVD.
    Choi, Wonsik ; Huang, Hsien-Chih ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 58 (2022-08-01), Heft 4, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Epitaxial $\beta$ -Ga2O3 and $\beta$ -(AlxGa1−x)2O3/ $\beta$ -Ga2O3 Heterostructures Growth for Power Electronics
    Miller, R. ; Alema, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 31 (2018-11-01), Heft 4, S. 467-467
    Online academicJournal
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    Effects of Different InGaN/GaN Electron Emission Layers/Interlayers on Performance of a UV-A LED
    Kim, Dohyun ; Song, Keun ; et al.
    In: Applied Sciences; Volume 10; Issue 4; Pages: 1514, 2020
    academicJournal
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    Effect of Gallium Source Material on the Transparent Conducting Properties of Ga:ZnO Thin Films Through Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
    Thi Thanh Ho, Van ; Giang Bach, Long ; et al.
    In: Molecular Crystals & Liquid Crystals, Jg. 623 (2015-12-01), Heft 1, S. 433-443
    Online academicJournal
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