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    Effects of Scaling on Analog FoMs of UTBB FD-SOI MOS Transistors: A Detailed Analysis.
    Bhoir, Mandar S. ; Mohapatra, Nihar R.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 3035-3041
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs.
    Wen Hsin Chang ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615-4621
    Online academicJournal
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    Modeling Study of the Impact of Surface Roughness on Silicon and Germanium UTB MOSFETs.
    Low, Tony ; Li, Ming-Fu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-11-01), Heft 11, S. 2430-2439
    Online academicJournal
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    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs.
    Chowdhury, Murshed M. ; Trivedi, Vishal P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), Heft 5, S. 1125-1131
    Online academicJournal
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    Proposal and Experimental Demonstration of Ultrathin-Body (111) InAs-On-Insulator nMOSFETs With L Valley Conduction.
    Sumita, Kei ; Toprasertpong, Kasidit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 2003-2009
    Online academicJournal
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    Physical Mechanisms of Mobility Enhancement in Ultrathin Body GeOI pMOSFETs Fabricated by HEtero-Layer-Lift-Off Technology.
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-03-01), Heft 3, S. 1182-1188
    Online academicJournal
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    Mobility and Threshold-Voltage Comparison Between (110)- and (100)-Oriented Ultrathin-Body Silicon MOSFETs.
    Tsutsui, Gen ; Hiramoto, Toshiro
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-10-01), Heft 10, S. 2582-2588
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    Evaluation of Mobility Degradation Factors and Performance Improvement of Ultrathin-Body Germanium-on-Insulator MOSFETs by GOI Thinning Using Plasma Oxidation.
    Yu, Xiao ; Kang, Jian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-04-01), Heft 4, S. 1418-1425
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    Ultrathin-Body Strained-Si and SiGe Heterostructure-on-Insulator MOSFETs.
    Åberg, Ingvar ; Chléirigh, Cáit Ní ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-05-01), Heft 5, S. 1021-1029
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    Experimental and Theoretical Investigation of Magnetoresistance From Linear Regime to Saturation in 14-nm FD-SOI MOS Devices.
    Shin, Minju ; Shi, Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015), Heft 1, S. 3-8
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