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    Characterization and modelling of MOS transistors from advanced technologies (FDSOI, nanowire, GaN HEMT, LTPS…) ; Caractérisation et modélisation des composants MOS des technologies avancées (FDSOI, nanofil, GaN HEMT, LTPS…)
    Kim, Donghyun ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-04531810 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Grenoble Alpes [2020-.]; Koryŏ taehakkyo. Asea munje yŏn’guso (Séoul, Corée S.), 2023. English. ⟨NNT : 2023GRALT086⟩, 2023
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    Voltage-controlled oscillator for high-performance mmW beam-steeringfront-end ; Oscillateurs commandés en tension pour la réalisation de système d’orientation hautes performances en bande millimétrique
    Gomes, Leonardo ; Reliable RF and Mixed-signal Systems (TIMA-RMS) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-04031594 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Grenoble Alpes [2020-.]; Universidade de São Paulo (Brésil), 2022. English. ⟨NNT : 2022GRALT099⟩, 2022
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    Voltage-controlled oscillator for high-performance mmW beam-steeringfront-end ; Oscillateurs commandés en tension pour la réalisation de système d’orientation hautes performances en bande millimétrique
    Gomes, Leonardo ; Reliable RF and Mixed-signal Systems (TIMA-RMS) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-04031594 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Grenoble Alpes [2020-.]; Universidade de São Paulo (Brésil), 2022. English. ⟨NNT : 2022GRALT099⟩, 2022
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    Design and fabrication of tunnel effect-based non-linear selectors ; Conception et fabrication de sélecteurs non-linéaires à base d'effet tunnel
    Plourde, Maxime ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03938223 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2022. Français. ⟨NNT : 2022LYSEI029⟩, 2022
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    Design and fabrication of tunnel effect-based non-linear selectors ; Conception et fabrication de sélecteurs non-linéaires à base d'effet tunnel
    Plourde, Maxime ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03938223 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2022. Français. ⟨NNT : 2022LYSEI029⟩, 2022
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    Advanced plasma etching process study perfomed by Atomistic Simulation : application to Flash memories' ONO layer etching ; Simulation Atomistique pour procédés de gravure plasma avancés : application à la gravure ONO des produits mémoires Flash
    Pinzan, Florian ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03359242 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2021. Français. ⟨NNT : 2021GRALT035⟩, 2021
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    Advanced plasma etching process study perfomed by Atomistic Simulation : application to Flash memories' ONO layer etching ; Simulation Atomistique pour procédés de gravure plasma avancés : application à la gravure ONO des produits mémoires Flash
    Pinzan, Florian ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03359242 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2021. Français. ⟨NNT : 2021GRALT035⟩, 2021
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    Advanced plasma etching process study perfomed by Atomistic Simulation : application to Flash memories' ONO layer etching ; Simulation Atomistique pour procédés de gravure plasma avancés : application à la gravure ONO des produits mémoires Flash
    Pinzan, Florian ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; et al.
    In: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03359242 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2021. Français. ⟨NNT : 2021GRALT035⟩, 2021
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    Towards a technological rupture in plasma processing for material patterning with sub-nm precision ; Vers une rupture technologique des procédés plasma pour la structuration de la matière avec une précision sub-nanométrique
    Renaud, Vincent ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03143814 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2020. Français. ⟨NNT : 2020GRALT051⟩, 2020
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    Towards a technological rupture in plasma processing for material patterning with sub-nm precision ; Vers une rupture technologique des procédés plasma pour la structuration de la matière avec une précision sub-nanométrique
    Renaud, Vincent ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03143814 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2020. Français. ⟨NNT : 2020GRALT051⟩, 2020
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    Towards a technological rupture in plasma processing for material patterning with sub-nm precision ; Vers une rupture technologique des procédés plasma pour la structuration de la matière avec une précision sub-nanométrique
    Renaud, Vincent ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; et al.
    In: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03143814 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2020. Français. ⟨NNT : 2020GRALT051⟩, 2020
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    Les nanosciences : (r)évolution des savoirs et des technologies ?
    Pautrat, Jean-Louis ; Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC) ; et al.
    In: https://hal.science/hal-00598844 ; 2011, 2011
    Online report
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    Les nanosciences : (r)évolution des savoirs et des technologies ?
    Pautrat, Jean-Louis ; Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC) ; et al.
    In: https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00598844 ; 2011, 2011
    Online report
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    Study of selective etching of dielectric materials using remote chemical dry etching and related applications in the microelectronic manufacturing ; Développement de gravures ultra sélectives de matériaux diélectriques par plasma déporté, pour des applications dans la micro-électronique
    Prevost, Emilie ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02893134 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2019. Français. ⟨NNT : 2019GREAT102⟩, 2019
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    Study of selective etching of dielectric materials using remote chemical dry etching and related applications in the microelectronic manufacturing ; Développement de gravures ultra sélectives de matériaux diélectriques par plasma déporté, pour des applications dans la micro-électronique
    Prevost, Emilie ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02893134 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2019. Français. ⟨NNT : 2019GREAT102⟩, 2019
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    Study of selective etching of dielectric materials using remote chemical dry etching and related applications in the microelectronic manufacturing ; Développement de gravures ultra sélectives de matériaux diélectriques par plasma déporté, pour des applications dans la micro-électronique
    Prevost, Emilie ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; et al.
    In: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02893134 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2019. Français. ⟨NNT : 2019GREAT102⟩, 2019
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    Study of the physical mechanisms affecting the reliability of the trigate transistors ; Etude des mécanismes physiques de fiabilité sur transistors Trigate/Nanowire
    Laurent, Antoine ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01877014 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT024⟩, 2018
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    Characterization and development of a nanoscale controlled sequential etching process for SiN spacers ; Caractérisation et développement d'un procédé de gravure séquentiel contrôlé à l'échelle nanométrique
    Chambettaz, Florentin ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01873505 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT023⟩, 2018
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    Study of the physical mechanisms affecting the reliability of the trigate transistors ; Etude des mécanismes physiques de fiabilité sur transistors Trigate/Nanowire
    Laurent, Antoine ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01877014 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT024⟩, 2018
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    New perspectives of dimensional metrology using electron microscope imaging for process variability control in integrated circuit manufacturing ; Nouvelles perspectives de métrologie dimensionnelle par imagerie de microscope électronique pour le contrôle de la variabilité des procédés de fabrication des circuits intégrés
    Lakcher, Amine ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01928076 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT052⟩, 2018
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