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    A comparison of TMGa and TEGa for low-temperature metalorganic chemical vapor deposition growth of CCI<subscript>4</subscript>-doped inGaAs
    Stockman, S. A. ; Hanson, A. W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 23 (1994-08-01), Heft 8, S. 791-799
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    Effect of structural defects and chemical impurities on hall mobilities in low pressure MOCVD grown GaN
    Hwang, C. Y. ; Schurman, M. J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-03-01), Heft 3, S. 243-251
    Online academicJournal
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    Properties of GaN epitaxial layers grown at high growth rates by metalorganic chemical vapor deposition
    Kokubun, Y. ; Nishio, J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001), Heft 1, S. 23-26
    Online academicJournal
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    Mass spectroscopy study of GaN metalorganic chemical vapor deposition
    Pakk, Yongjo ; Pavlidis, Dimitris
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-09-01), Heft 9, S. 1554-1560
    Online academicJournal
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    Basic studies of gallium nitride growth on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition and optical properties of deposited layers
    Niebuhr, R. ; Bachem, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-11-01), Heft 11, S. 1531-1534
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