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    Back-Gate Bias and Substrate Doping Influenced Substrate Effect in UTBB FD-SOI MOS Transistors: Analysis and Optimization Guidelines.
    Bhoir, Mandar S. ; Chauhan, Yogesh Singh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-02-01), Heft 2, S. 861-867
    Online academicJournal
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    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOl MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET.
    Tian, Yu ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), Heft 4, S. 561-568
    Online academicJournal
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    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation.
    Gudmundsson, Valur ; Hellström, Per-Erik ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-05-01), Heft 5, S. 541-543
    Online academicJournal
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    Experimental Study on Superior Mobility in (110)-Oriented UTB SOI pMOSFETs.
    Tsutsui, Gen ; Saitoh, Masumi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-11-01), Heft 11, S. 836-838
    Online academicJournal
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    Hole Transport in UTB MOSFETs in Strained-Si Directly on Insulator With Strained-Si Thickness Less Than 5 nm.
    Aberg, Ingvar ; Hoyt, Judy L.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-09-01), Heft 9, S. 661-663
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    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation.
    Zhang, Zhen ; Qiu, Zhijun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    Online academicJournal
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    Impact of the top silicon thickness on phonon-limited electron mobility in (110)-oriented ultrathin-body silicon-on-insulator n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
    Moon, Hui-Chang ; Kim, Seong-Je ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 102 (2007-09-15), Heft 6, S. 63520-63524
    Online academicJournal
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    Valence band structure of ultrathin silicon and germanium channels in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
    Low, Tony ; Li, M. F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-07-15), Heft 2, S. 24504-24511
    Online academicJournal
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    Design Optimization and Performance Projections of Double-Gate FinFETs With Gate—Source/Drain Underlap for SRAM Application.
    Kim, Seung-Hwan ; Fossum, Jerry G.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-08-01), Heft 8, S. 1934-1942
    Online academicJournal
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    Ultrathin-Body Strained-Si and SiGe Heterostructure-on-Insulator MOSFETs.
    Åberg, Ingvar ; Chléirigh, Cáit Ní ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-05-01), Heft 5, S. 1021-1029
    Online academicJournal
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    Narrow-Width SOl Devices: The Role of Quantum Mechanical Size Quantization Effect and Unintentional Doping on the Device Operation.
    Vasileska, Dragica ; Ahmed, Shaikh S.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-02-01), Heft 2, S. 227-236
    Online academicJournal
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    Atomistic Full-Band Design Study of InAs B and-to-B and Tunneling Field-Effect Transistors.
    Luisier, Mathieu ; Klimeck, Gerhard
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-06-01), Heft 6, S. 602-604
    Online academicJournal
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    Electron mobility in Ge and strained-Si channel ultrathin-body metal-oxide semi conductor field-effect transistors.
    Low, Tony ; Li, M. F. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-09-20), Heft 12, S. 2402-2404
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    An Air Spacer Technology for Improving Short-Channel Immunity of MOSFETs With Raised Source/Drain and High-κ Gate Dielectric.
    Yin, Chunshan ; Chan, Philip C. H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-05-01), Heft 5, S. 323-325
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