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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N<subscript>2</subscript>/H<subscript>2</subscript> excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power.
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 391 (2014-04-01), S. 97-103
    Online academicJournal
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    Effect of AlInGaN barrier layers with various TMGa flows on optoelectronic characteristics of near UV light-emitting diodes grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    Fu, Yi-Keng ; Lu, Yu-Hsuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 62 (2011-08-01), Heft 1, S. 142-145
    Online academicJournal
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    A development of the LED TMGa precursor reuse technology
    Yoon, Jae-sik ; Yang, Jae-yeol ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 93 (2013-02-15), S. 153-156
    Online academicJournal
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    Adsorption mechanism of dimeric Ga precursors in metalorganic chemical vapor deposition of gallium nitride.
    Kim, Hankyu ; Kim, Miso ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 41 (2023-12-01), Heft 6, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Resonant and nonresonant vibrational excitation of ammonia molecules in the growth of gallium nitride using laser-assisted metal organic chemical vapour deposition.
    Rabiee Golgir, Hossein ; Yun Shen Zhou ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-09-14), Heft 10, S. 105303-1- (8S.)
    Online academicJournal
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    Ethylene for carbon doping of GaN by atmospheric pressure metal organic chemical vapor deposition.
    Zhang, Li ; Dong, Zhongyuan ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 345 (2023-08-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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    Deposition and properties of highly C-oriented GaN films on diamond substrates.
    Zhang, Dong ; Bai, Yizhen ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 102 (2011-02-01), Heft 2, S. 353-358
    Online academicJournal
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    GaN buffer layer growth by MOCVD using a thermodynamic non-equilibrium model
    Guarneros, C. ; Sánchez, V.
    In: Vacuum, Jg. 84 (2010-05-19), Heft 10, S. 1187-1190
    Online academicJournal
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    Characterizations of GaN film growth by ECR plasma chemical vapor deposition
    Fu, Silie ; Chen, Junfang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-06-01), Heft 12, S. 3325-3331
    Online academicJournal
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    Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p++-GaN layer.
    Liang, Feng ; Zhao, Degang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 467 (2017-06-01), S. 1-5
    Online academicJournal
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    Demonstration of n-GaN:Si NWs having ultrahigh density and aspect ratio via a 3-step growth method using MOCVD.
    Um, Dae-Young ; Mandal, Arjun ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 18 (2016-01-21), Heft 3, S. 480-487
    Online academicJournal
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    Optimization of Gallium Nitride Metalorganic Chemical Vapor Deposition Process.
    George, Pradeep ; Meng, Jiandong ; et al.
    In: Journal of Heat Transfer, Jg. 137 (2015-06-01), Heft 6, S. 1-8
    academicJournal
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    Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique.
    Byung Oh Jung ; Bae, Si-Young ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 16 (2014-03-18), Heft 11, S. 2273-2282
    Online academicJournal
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    Study of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers growth on GaN/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> by MOCVD at different pressures.
    Guarneros, C. ; Espinosa, J. E. ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 26 (2013-09-01), Heft 3, S. 107-110
    academicJournal
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    Studies on the effect of ammonia flow rate induced defects in gallium nitride grown by MOCVD
    Suresh, S. ; Lourdudoss, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-10-15), Heft 21, S. 3151-3155
    Online academicJournal
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    Growth of In <subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−</subscript> <subscript>x</subscript> N quantum dots by nitridation of nano-alloyed droplet method using MOCVD
    Song, Heon ; Lee, Seon-Ho ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-09-15), Heft 19, S. 4418-4422
    Online academicJournal
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    Properties of MOVPE GaN grown on ZnO deposited on Si(001) and Si(111) substrates
    Paszkiewicz, R. ; Paszkiewicz, B. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-11-15), Heft 23, S. 4891-4895
    Online academicJournal
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    Effect of controlled growth rate on the tilt mosaic microstructure of nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire.
    Lee, Yong Seok ; Kim, Hun ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1399 (2011-12-22), Heft 1, S. 111-112
    Online Konferenz
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    Growth of network structured carbon-doped GaN (GaN:C) nanowires using a modified metal-organic chemical vapor deposition.
    Kim, Hong Tak ; Kim, Chan-Duk ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 123 (2016), S. 82-85
    Online academicJournal
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