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    Reaction mechanisms in the organometallic vapor phase epitaxial growth of GaAs.
    Larsen, C. A. ; Buchan, N. I. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-02-08), Heft 6, S. 480-482
    Online academicJournal
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    Atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy growth of high-mobility GaAs using trimethylgallium and arsine.
    Hanna, M. C. ; Lu, Z. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-09-10), Heft 11, S. 1120-1122
    Online academicJournal
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    Carbon tetrachloride doped AlxGa1-xAs grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cunningham, B. T. ; Baker, J. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-02-26), Heft 9, S. 836-838
    Online academicJournal
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    Use of tertiarybutylarsine for GaAs growth.
    Chen, C. H. ; Larsen, C. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 50 (1987-01-26), Heft 4, S. 218-220
    Online academicJournal
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    GaInAsSb metastable alloys grown by organometallic vapor phase epitaxy.
    Cherng, M. J. ; Stringfellow, G. B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 48 (1986-02-10), Heft 6, S. 419-421
    Online academicJournal
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    Organometallic vapor phase epitaxial growth and characterization of high purity GaInAs on InP.
    Carey, Kent W.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 46 (1985), Heft 1, S. 89-91
    Online academicJournal
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    Organometallic vapor phase epitaxial growth of high purity GaInAs using trimethylindium.
    Kuo, C. P. ; Yuan, J. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 44 (1984-03-01), Heft 5, S. 550-552
    Online academicJournal
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