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    Role of the TMG flow rate on the GaN layer properties grown by MOVPE on (hkl) GaAs substrates
    Laifi, J. ; Saidi, C. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing ; volume 101, page 253-261 ; ISSN 1369-8001, 2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A development of the LED TMGa precursor reuse technology
    Yoon, Jae-sik ; Yang, Jae-yeol ; et al.
    In: Materials Letters ; volume 93, page 153-156 ; ISSN 0167-577X, 2013
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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