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    Improved crystalline quality of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing TMGa pulse flow into the nucleation stage
    Wu, Hualong ; Wang, Hailong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 490, page 56-60 ; ISSN 0022-0248, 2018
    academicJournal
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    First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN
    Sekiguchi, K. ; Shirakawa, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 468, page 950-953 ; ISSN 0022-0248, 2017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CBr4-based in-situ etching of GaAs, assisted with TMAl and TMGa
    Della Casa, Pietro ; Maaßdorf, Andre ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 434, page 116-122 ; ISSN 0022-0248, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of TMGa output of on-board cylinders for chemical vapor deposition
    Woelk, E. ; DiCarlo, R.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 452, page 226-229 ; ISSN 0022-0248, 2016
    academicJournal
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    Effect of TMGa preflow on the properties of high temperature AlN layers grown on sapphire
    Kirste, Ronny ; Wagner, Markus R. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 210, issue 2, page 285-290 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N2/H2 excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 391, page 97-103 ; ISSN 0022-0248, 2014
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of TMGa/NH 3 /H 2 reaction system in GaN‐MOVPE growth by computational simulation
    Hirako, A. ; Koiso, S. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 203, issue 7, page 1716-1719 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Magnetic properties and magnetocaloric effect in TmGa and HoGa single crystals
    Gao, Tian ; Nishimura, Katsuhiko ; et al.
    In: Solid State Communications ; volume 158, page 1-4 ; ISSN 0038-1098, 2013
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of AlInGaN barrier layers with various TMGa flows on optoelectronic characteristics of near UV light-emitting diodes grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    Fu, Yi-Keng ; Lu, Yu-Hsuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 62, issue 1, page 142-145 ; ISSN 0038-1101, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Formation of polymers in TMGa/NH3/H2 system under GaN growth
    Hirako, Akira ; Ohkawa, Kazuhiro
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 289, issue 2, page 428-432 ; ISSN 0022-0248, 2006
    academicJournal
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    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 260, issue 3-4, page 388-393 ; ISSN 0022-0248, 2004
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs
    Longo, M. ; Magnanini, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 248, page 119-123 ; ISSN 0022-0248, 2003
    academicJournal
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    A comparison of TMG with TEG for the growth of InxGa1−xAs
    Glew, Richard William ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 29, issue 1, page 146-150 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 2000
    academicJournal
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    GaAs buried growth over tungsten stripe using TEG and TMG
    Arai, T ; Tobita, H ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 221, issue 1-4, page 212-219 ; ISSN 0022-0248, 2000
    academicJournal
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    High quality GaN film growth on AlN buffer layer, pretreated with alternating pulsative supply of TMG and NH3
    Hwang, Jin Soo ; Tanaka, Satoru ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 200, issue 1-2, page 63-69 ; ISSN 0022-0248, 1999
    academicJournal
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    Preparation of GaN film of low carrier density by the HWE system with Ga and TMG sources
    Chu, Shucheng ; Fujimura, Kazuo ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 189-190, page 340-343 ; ISSN 0022-0248, 1998
    academicJournal
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    A study of parasitic reactions between NH3 and TMGa or TMAI
    Chen, C. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 25, issue 6, page 1004-1008 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 1996
    academicJournal
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    A comparison of TMGa and TEGa for low-temperature metalorganic chemical vapor deposition growth of CCI4-doped inGaAs
    Stockman, S. A. ; Hanson, A. W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 23, issue 8, page 791-799 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 1994
    academicJournal
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    A comment on: “SSIMS identification of surface intermediates in the thermal decomposition of TMGa on Si(100)” by C.R. Flores, X.L. Zhou and J.M. White [Surface Science 261 (1992) 99]
    Cadwell, L.A. ; Masel, R.I.
    In: Surface Science ; volume 301, issue 1-3, page 415-422 ; ISSN 0039-6028, 1994
    academicJournal
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    Investigations on the compositional non-uniformity of selectively grown GaxIn1−xP by LP-MOCVD using EDMI, TMI, TEG, and TMG as group III sources
    Chan, Shih-Hsiung ; Chang, Chun-Yen ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 145, issue 1-4, page 978-980 ; ISSN 0022-0248, 1994
    academicJournal
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