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    The role of carbon and C-H neutralization in MOCVD β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> using TMGa as precursor.
    Meng, Lingyu ; Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-06-05), Heft 23, S. 1-6
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    Metalorganic Chemical Vapor Deposition Gallium Nitride with Fast Growth Rate for Vertical Power Device Applications.
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 218 (2021-03-15), Heft 6, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Carbon and silicon background impurity control in undoped GaN layers grown with trimethylgallium and triethylgallium via metalorganic chemical vapor deposition.
    Bakhtiary-Noodeh, Marzieh ; Detchprohm, Theeradetch ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 602 (2023-01-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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