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    Si concentration dependence of structural inhomogeneities in Si-doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/AlyGa<subscript>1-y</subscript>N multiple quantum well structures (x=0.6) and its relationship with internal quantum efficiency.
    Kurai, Satoshi ; Anai, Koji ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 116 (2014-12-21), Heft 23, S. 235703-1- (6S.)
    Online academicJournal
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    Luminescence and superradiance in electron-beam-excited Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N.
    Bokhan, P. A. ; Gugin, P. P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 116 (2014-09-21), Heft 11, S. 113103-1- (6S.)
    Online academicJournal
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    Determination of the direct to indirect bandgap transition composition in AlxIn1-xP.
    Beaton, D. A. ; Christian, T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-11-28), Heft 20, S. 203504-203507
    Online academicJournal
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    Optical investigation of exciton localization in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N.
    Lee, K. B. ; Parbrook, P. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007-03-01), Heft 5, S. 53513-53518
    Online academicJournal
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    Recombination dynamics in ultraviolet light-emitting diodes with Si-doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1-y</subscript>N multiple quantum well active regions.
    Chen, K. X. ; Xi, Y. A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007-06-01), Heft 11, S. 113102-113106
    Online academicJournal
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    Correlation between luminescence properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As/GaAs single quantum wells and barrier composition fluctuation.
    Lourenço, S. A. ; da Silva, M. A. T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007-06-01), Heft 11, S. 113536-113542
    Online academicJournal
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    Exciton freeze-out and thermally activated relaxation at local potential fluctuations in thick Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers.
    Beil, A. ; Srinivasan, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 95 (2004-05-01), Heft 9, S. 4670-4674
    Online academicJournal
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    Low temperature photoluminescence study in AlxGa1-xAs alloys in the indirect band gap region (x>=0.4).
    Torres-Delgado, G. ; Castanedo-Perez, R. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 78 (1995-10-15), Heft 8, S. 5090-5097
    Online academicJournal
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    Amber-green light-emitting diodes using order-disorder AlxIn1-xP heterostructures.
    Christian, Theresa M. ; Beaton, Daniel A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-08-21), Heft 7, S. 074505-74505
    Online academicJournal
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    Tailoring the shape of GaN/Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N nanostructures to extend their luminescence in the visible range.
    Brault, J. ; Huault, T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-02-01), Heft 3, S. N.PAG- (7S.)
    Online academicJournal
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    Modification of the anomalous optical transitions in multilayer AlGaN-based nanoheterostructure using a nonbonding laser lift-off technique.
    Elgawadi, Amal ; Krasinski, Jerzy ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 103 (2008-06-15), Heft 12, S. 123512-123515
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    Determination of energy-band offsets between GaN and AlN using excitonic luminescence transition in AlGaN alloys.
    Westmeyer, A. N. ; Mahajan, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006), Heft 1, S. 13705-13708
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    Microstructural and optical properties of self-organized GaN quantum-dot assemblies.
    Panin, G. N. ; Park, Y. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 97 (2005-02-15), Heft 4, S. 43527-43530
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    Effects of different potential barriers on the structural and optical properties of GaN/Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN coupled multiquantum wells.
    Park, Y. S. ; Park, C. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-07-15), Heft 2, S. 26101-26103
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