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    Role of the TMG flow rate on the GaN layer properties grown by MOVPE on (hkl) GaAs substrates.
    Laifi, J. ; Saidi, C. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 101 (2019-10-01), S. 253-261
    Online academicJournal
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    Enhanced light output of InGaN LEDs with a roughened p-GaN surface using different TMGa flow rates in p-AlGaN layer
    Tsai, P.C. ; Chen, W.R. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 256 (2010-09-01), Heft 22, S. 6694-6698
    Online academicJournal
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    Effect of AlInGaN barrier layers with various TMGa flows on optoelectronic characteristics of near UV light-emitting diodes grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    Fu, Yi-Keng ; Lu, Yu-Hsuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 62 (2011-08-01), Heft 1, S. 142-145
    Online academicJournal
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    A development of the LED TMGa precursor reuse technology
    Yoon, Jae-sik ; Yang, Jae-yeol ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 93 (2013-02-15), S. 153-156
    Online academicJournal
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    Fabrication of submicron active-region-buried GaN hexagonal frustum structures by selective area growth for directional micro-LEDs.
    Kumagai, Naoto ; Takahashi, Tokio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 507 (2019-02-01), S. 437-441
    Online academicJournal
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    Increased power from deep ultraviolet LEDs via precursor selection
    Moe, C. ; Onuma, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 298 (2007), S. 710-713
    Online academicJournal
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    Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p++-GaN layer.
    Liang, Feng ; Zhao, Degang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 467 (2017-06-01), S. 1-5
    Online academicJournal
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    Control of vapor feed from liquid precursors to the OMVPE process.
    Woelk, E. ; DiCarlo, R.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 393 (2014-05-01), S. 32-34
    Online academicJournal
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    Performance of a central delivery system for metalorganic precursors
    Woelk, Egbert
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-04-01), Heft 8, S. 1340-1342
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Crystal growth of nitride-rich GaNP by laser-assisted metalorganic chemical-vapor deposition
    Yoshida, Seikoh ; Kikawa, Junjiroh ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237-239 (2002-04-02), Heft 1-2, S. 1037-1041
    Online academicJournal
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