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79 Treffer

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    Properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As grown from a mixed Ga–Bi melt.
    Khvostikova, Olga ; Vlasov, Alexey ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 14 (2024-01-16), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Design and demonstration of Al<subscript>x</subscript>In<subscript>1−x</subscript>P multiple quantum well light-emitting diodes.
    Alberi, Kirstin ; Pokharel, Nikhil ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 54 (2021-09-16), Heft 37, S. 1-11
    Online academicJournal
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    High electron mobility of AlxGa1−xN evaluated by unfolding the DFT band structure.
    Pant, Nick ; Deng, Zihao ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-12-14), Heft 24, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Density Functional Theory (DFT) - Based GW+BSE Calculations to Investigate the Influence of Substitution of Ga with Al on the Band Gap and the Optical Spectra of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N (x = 0; 0:125; 0:25; 1).
    Amaliah, N. ; Majidi, M. A.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 2023 (2018-09-02), Heft 1, S. 20038-1- (5S.)
    Online Konferenz
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    Recombination processes in midinfrared Al<subscript>x</subscript>In<subscript>1-x</subscript>Sb light-emitting diodes.
    Mirza, B. I. ; Nash, G. R. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 104 (2008-09-15), Heft 6, S. 63113-63119
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Recombination dynamics in ultraviolet light-emitting diodes with Si-doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1-y</subscript>N multiple quantum well active regions.
    Chen, K. X. ; Xi, Y. A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007-06-01), Heft 11, S. 113102-113106
    Online academicJournal
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    Insight into the physical mechanism of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N electron blocking layer in GaN-based light emitting diodes.
    Zhao, Juanli ; Xiong, Zhihua ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 8 (2018-10-01), Heft 10, S. N.PAG- (7S.)
    Online academicJournal
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    Effects of double layer AlN buffer layers on properties of Si-doped AlxGa1-xN for improved performance of deep ultraviolet light emitting diodes.
    Al tahtamouni, T. M. ; Lin, J. Y. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 113 (2013-03-28), Heft 12, S. 123501-123504
    Online academicJournal
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    Achieving High-Performance Blue GaN-Based Light-Emitting Diodes by Energy Band Modification on AlxInyGa1–x–yN Electron Blocking Layer.
    Lin, Zhiting ; Wang, Haiyan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-02-01), Heft 2, S. 472-480
    Online academicJournal
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    Comparison of the AlxGa1–xN/GaN Heterostructures Grown on Silicon-on-Insulator and Bulk-Silicon Substrates.
    Tham, Wai Hoe ; Ang, Diing Shenp ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 345-352
    Online academicJournal
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    Pressure dependence of AlxGa1-xAs light emitting diodes near the direct-indirect transition.
    Kaliski, R. W. ; Epler, J. E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 57 (1985-03-01), Heft 5, S. 1734-1738
    Online academicJournal
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    Design of Hole-Blocking and Electron-Blocking Layers in AlxGa1–xN-Based UV Light-Emitting Diodes.
    Shih, Ya-Hsuan ; Chang, Jih-Yuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-03-01), Heft 3, S. 1141-1147
    Online academicJournal
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    Highly efficient, spectrally pure 340 nm ultraviolet emission from Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N nanowire based light emitting diodes.
    Wang, Q. ; Connie, A. T. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 24 (2013-08-30), Heft 34, S. 1-6
    Online academicJournal
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    KOH based selective wet chemical etching of AlN, AlxGa<subscript>1-x</subscript>N, and GaN crystals: A way towards substrate removal in deep ultraviolet-light emitting diode.
    Guo, W. ; Kirste, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 106 (2015-02-23), Heft 9, S. 1-4
    Online academicJournal
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    PERFORMANCE ENHANCEMENT OF InGaN-BASED LASER DIODES USING A STEP-GRADED Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N ELECTRON BLOCKING LAYER.
    ZHANG, Y. ; LIU, J. P. ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 20 (2011-09-01), Heft 3, S. 515-520
    academicJournal
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    Pulsed modulation doping of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N (x>0.6) AlGaN epilayers for deep UV optoelectronic devices.
    Chen, Hung-Chi ; Ahmad, Iftikhar ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 11 (2014-04-01), Heft 3/4, S. 408-411
    academicJournal
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    Impact of random alloy fluctuations on the electronic and optical properties of (Al,Ga)N quantum wells: Insights from tight-binding calculations.
    Finn, Robert ; Schulz, Stefan
    In: Journal of Chemical Physics, Jg. 157 (2022-12-28), Heft 24, S. 1-12
    Online academicJournal
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    ELECTRON–PHONON INTERACTION IN WURTZITE Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N TERNARY CRYSTAL.
    SHU YI, WEI ; FANG, ZHANG ; et al.
    In: International Journal of Modern Physics B: Condensed Matter Physics; Statistical Physics; Applied Physics, Jg. 21 (2007-09-10), Heft 22, S. 3841-3850
    academicJournal
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    Very Low Pressure Magnetron Reactive Ion Etching of GaN and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N Using Dichlorofluoromethane (Halocarbon 12).
    Batoni, P. ; Patel, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 36 (2007-09-01), Heft 9, S. 1448-1455
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Amber-green light-emitting diodes using order-disorder AlxIn1-xP heterostructures.
    Christian, Theresa M. ; Beaton, Daniel A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-08-21), Heft 7, S. 074505-74505
    Online academicJournal
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