Zum Hauptinhalt springen
UB Siegen

Suchergebnisse

Katalog

Aufsätze & mehr
23 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Notation".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Inhaltsanbieter

23 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Improved crystalline quality of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing TMGa pulse flow into the nucleation stage
    Wu, Hualong ; Wang, Hailong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 490, page 56-60 ; ISSN 0022-0248, 2018
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN
    Sekiguchi, K. ; Shirakawa, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 468, page 950-953 ; ISSN 0022-0248, 2017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    CBr4-based in-situ etching of GaAs, assisted with TMAl and TMGa
    Della Casa, Pietro ; Maaßdorf, Andre ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 434, page 116-122 ; ISSN 0022-0248, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Analysis of TMGa output of on-board cylinders for chemical vapor deposition
    Woelk, E. ; DiCarlo, R.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 452, page 226-229 ; ISSN 0022-0248, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N2/H2 excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 391, page 97-103 ; ISSN 0022-0248, 2014
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Formation of polymers in TMGa/NH3/H2 system under GaN growth
    Hirako, Akira ; Ohkawa, Kazuhiro
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 289, issue 2, page 428-432 ; ISSN 0022-0248, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 260, issue 3-4, page 388-393 ; ISSN 0022-0248, 2004
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs
    Longo, M. ; Magnanini, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 248, page 119-123 ; ISSN 0022-0248, 2003
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    GaAs buried growth over tungsten stripe using TEG and TMG
    Arai, T ; Tobita, H ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 221, issue 1-4, page 212-219 ; ISSN 0022-0248, 2000
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High quality GaN film growth on AlN buffer layer, pretreated with alternating pulsative supply of TMG and NH3
    Hwang, Jin Soo ; Tanaka, Satoru ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 200, issue 1-2, page 63-69 ; ISSN 0022-0248, 1999
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Preparation of GaN film of low carrier density by the HWE system with Ga and TMG sources
    Chu, Shucheng ; Fujimura, Kazuo ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 189-190, page 340-343 ; ISSN 0022-0248, 1998
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigations on the compositional non-uniformity of selectively grown GaxIn1−xP by LP-MOCVD using EDMI, TMI, TEG, and TMG as group III sources
    Chan, Shih-Hsiung ; Chang, Chun-Yen ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 145, issue 1-4, page 978-980 ; ISSN 0022-0248, 1994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Selective organometallic vapor phase epitaxy of Ga and In compounds: a comparison of TMIn and TEGa versus TMIn and TMGa
    Caneau, C. ; Bhat, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 132, issue 3-4, page 364-370 ; ISSN 0022-0248, 1993
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth kinetics and critical temperature measurements in MOMBE growth of GaAs with TMGa by RHEED
    Kaneko, T. ; Naji, O. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 127, issue 1-4, page 1059-1063 ; ISSN 0022-0248, 1993
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Selective area growth of GaAs and AlGaAs with TMGa, TMAl, AsH3 and HCl by atmospheric pressure MOVPE
    Korte, L. ; Thanner, Chr. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 124, issue 1-4, page 220-226 ; ISSN 0022-0248, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Growth of carbon-doped base GaAs/AlGaAs HBT by gas-source MBE using TEG, TEA, TMG, AsH3, and Si2H6
    Ando, Hideyasu ; Fujii, Toshio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 120, issue 1-4, page 228-233 ; ISSN 0022-0248, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    RHEED studies of MOMBE growth using TMGa or TEGa with As2
    Lacklison, D.E. ; Foxon, C.T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 120, issue 1-4, page 50-56 ; ISSN 0022-0248, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The electrical, optical and crystalline properties of GaAs: C grown by GSMBE using TMG and AsH3 for application to HBTs
    Sandhu, A. ; Nakamura, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 120, issue 1-4, page 296-300 ; ISSN 0022-0248, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Carbon incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs using CHyX4 − y, TMG and AsH3
    Buchan, N.I. ; Kuech, T.F. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 110, issue 3, page 405-414 ; ISSN 0022-0248, 1991
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Studies of TMGa adsorption on thin GaAs and InAs (001) layers
    Maa, B.Y. ; Dapkus, P.D.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 105, issue 1-4, page 213-220 ; ISSN 0022-0248, 1990
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

Elektronische Zeitschriften

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -