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    Low-temperature MOVPE using TEGa for suppressed layer undulation in InxGa1−xAs/GaAs1−yPy superlattice on vicinal substrates.
    Fujii, Hiromasa ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 3-9
    Online academicJournal
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    Selective-area growth of GaAs and InAs nanowires—homo- and heteroepitaxy using templates
    Paetzelt, H. ; Gottschalch, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-11-15), Heft 23, S. 5093-5097
    Online academicJournal
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    MOVPE growth of grade-strained bulk InGaAs/InP for broad-band optoelectronic device applications
    Wang, Shurong ; Wang, Wei ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004-01-09), Heft 3/4, S. 464-468
    Online academicJournal
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