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    Some Investigations on Direct Substrate-Attachment Process for Wideband Instantaneous Frequency Measurement Receiver Development
    Sarkar, M. ; Kumar, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, Jg. 10 (2020-04-01), Heft 4, S. 704-716
    Online academicJournal
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    Monte Carlo Simulation Of Silicon Devices
    Lee, C.H. ; Ravaioli, U.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 36-39
    Online Konferenz
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    Analysis Of Collector Signal Delay In Bipolar Devices Using A Monte Carlo Method
    Tsuboi, Y. ; Fiegna, C. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 98-99
    Online Konferenz
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    A Two-dimensional Process Model For Silicide Growth
    Li, C.M. ; Crandle, T. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 68-69
    Online Konferenz
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    Characterization Of Metallurgical Channel Length And Gate Electrode's Physical Dimension For Device Analysis And Calibration Of Numerical Process And Device Simulators
    Lee, Shiuh-Wuu
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 112-113
    Online Konferenz
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    An Influence Of Electron-electron Scatterings To Distribution Functions
    Iizuka, T. ; Kato, H. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 106-107
    Online Konferenz
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    Effects Of Physical Models On Bipolar AC Characteristics
    Shigyo, N. ; Niitsu, Y.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 114-115
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    Anomalous Short-channel Body Coefficients Due To Transient Enhanced Diffusion
    Rafferty, C.S. ; Giles, M. D. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 148-149
    Online Konferenz
    Zugriff:
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Theoretical Analysis Of Transconductance Enhancement Due To Electron Concentration Dependent Screening In Heavily Doped Systems
    Ho, Shirun ; Moriyoshi, A. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 174-175
    Online Konferenz
    Zugriff:
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