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    Electrical and optical characterization studies of lower dose Si-implanted Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N
    Ryu, Mee-Yi ; Yeo, Y. K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 35 (2006-04-01), Heft 4, S. 647-653
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Ion dose and anneal temperature dependent studies of silicon implanted Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N
    Moore, E.A. ; Yeo, Y.K. ; et al.
    In: Current Applied Physics, Jg. 12 (2012), Heft 1, S. 123-128
    Online academicJournal
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    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Electrical and Optical Characterization Studies of Lower Dose Si-Implanted Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N.
    Ryu, Mee-Yi ; Yeo, Y. K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 35 (2006-04-01), Heft 4, S. 647-647
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Electrical Activation Studies of Silicon-Implanted Al<subscript> x </subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>N with Aluminum Mole Fraction of 11% to 51%
    Moore, E. A. ; Yeo, Y. K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 40 (2011), Heft 1, S. 11-16
    Online academicJournal
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    Nearly Perfect Electrical Activation Efficiencies from Silicon-Implanted Al<subscript> x </subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>N with High Aluminum Mole Fraction
    Moore, E.A. ; Yeo, Y.K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 38 (2009), Heft 1, S. 153-158
    Online academicJournal
    Zugriff:
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