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    Monte Carlo Simulation Of Silicon Devices
    Lee, C.H. ; Ravaioli, U.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 36-39
    Online Konferenz
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    An Efficient Impact Ionization Model For Silicon Monte Carlo Simulation
    Yao, C. S. ; Chen, D. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 42-43
    Online Konferenz
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    Electron Transport Models For Unstrained And Strained Si And SiGe
    Ershov, M. ; Ryzhii, V.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 110-111
    Online Konferenz
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    Two-dimensional Simulation Of GaAs MESFETs Including Impact Ionization Of Carriers And Carrier Trapping In The Semi-insulating Substrate
    Horio, K. ; Satoh, K. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 100-101
    Online Konferenz
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    Hydrodynamic Modeling Of The Hot Electron Effect In Subuderon MOSFET's Using A Simplified Energy Balance Equation
    Lee, G. H. ; Chung, S.S.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 108-109
    Online Konferenz
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    Efficient Deep-submicron Flash-EPROM Device Simulation Using Energy Transport Model
    Peng, J.Z.Z. ; Longeor, S. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 168-169
    Online Konferenz
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    A Simple Hot Electron Transport Model And Its Prediction Of Si-SiO/sub 2/ Injection Probability
    Jin, Gyo-young ; Park, Young-june ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 166-167
    Online Konferenz
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    A Non-local Formulation Of Impact Ionization For Silicon
    Scrobohaci, P. ; Tang, Ting-wei
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 172-173
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Zum Volltext
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