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    Full-band Monte Carlo simulation of two-dimensional electron gas in (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> heterostructures.
    Kumar, Avinash ; Singisetti, Uttam
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-11-28), Heft 20, S. 1-14
    Online academicJournal
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    Self-Organization of the Composition of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript> <subscript>x</subscript>N Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates
    Kukushkin, S. A. ; Sharofidinov, Sh. Sh. ; et al.
    In: Physics of the Solid State, Jg. 63 (2021-03-01), Heft 3, S. 442-448
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Characteristics of the formation and composition of AlxGa1-xN/AlN/por-Si/Si(111) heterostructures grown using a porous silicon buffer layer
    Lenshin, Alexander S. ; Seredin, Pavel V. ; et al.
    In: Конденсированные среды и межфазные границы, Jg. 24 (2022-03-01), Heft 1
    Online academicJournal
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    Verification of threading dislocations density estimation methods suitable for efficient structural characterization of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN heterostructures grown by MOVPE.
    Moszak, K. ; Olszewski, W. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-10-28), Heft 16, S. N.PAG- (6S.)
    Online academicJournal
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    Al<subscript>x</subscript>In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1 – x – y</subscript>P<subscript>z</subscript>As<subscript>1 – z</subscript>/GaAs Graded-Gap Heterostructures for Photovoltaic Converters.
    Lunin, L. S. ; Lunina, M. L. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 48 (2022-02-01), Heft 2, S. 82-85
    Online academicJournal
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    Epitaxial Growth of κ‐(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Layers and Superlattice Heterostructures up to x = 0.48 on Highly Conductive Al‐Doped ZnO Thin‐Film Templates by Pulsed Laser Deposition
    Kneiß, Max ; Storm, Philipp ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 258 (2021-02-01), Heft 2, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Admittance-voltage profiling of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures: Frequency dependence of capacitance and conductance.
    Köhler, K. ; Pletschen, W. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 118 (2015-11-28), Heft 20, S. 205702-1- (8S.)
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    academicJournal
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    Specifics of Heat Transfer in AlxGa1 – xN/GaN Heterostructures on Sapphire.
    Chernodubov, D. A. ; Maiboroda, I. O. ; et al.
    In: Physics of the Solid State, Jg. 62 (2020-04-01), Heft 4, S. 722-726
    Online academicJournal
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    Electrical properties of AlxGa1-xN/GaN heterostructures with low Al content.
    Köhler, K. ; Müller, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 109 (2011-03-01), Heft 5, S. 53705-53709
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    Influence of ultrathin AlN interlayer on the microstructure and the electrical transport properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Song, J. ; Xu, F. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 106 (2009-10-15), Heft 8, S. 83711-83715
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    Photoluminescence-excitation spectroscopy as a highly sensitive probe for carrier transport processes affected by surface damages in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Takeuchi, Hideo ; Yamamoto, Yoshitsugu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 102 (2007-08-15), Heft 4, S. 43510-43517
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    Thermal conduction in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N alloys and thin films.
    Liu, Weili ; Balandin, Alexander A.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 97 (2005-04-01), Heft 7, S. 73710-73715
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    Microstructural properties and atomic arrangements in GaN/sapphire and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/AlN/GaN/sapphire heterostructures.
    Kim, T. W. ; Lee, D. U. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-12-15), Heft 12, S. 7118-7121
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    Comparative studies of nanoscale columnar AlxGa1-xN/AlN heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on cSi, porSi/cSi and SiC/porSi/cSi substrates.
    Seredin, P.V. ; Goloshchapov, D.L. ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 145 (2023-11-01), S. N.PAG
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    Influence of the surface potential on electrical properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures with different Al-content: Effect of growth method.
    Köhler, K. ; Müller, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-03-01), Heft 5, S. 53711-53715
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    Magnetotransport properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/AlN/GaN heterostructures grown on epitaxial lateral overgrown GaN templates.
    Biyikli, N. ; Ni, X. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007-06-01), Heft 11, S. 113710-113717
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    Illumination and annealing characteristics of two-dimensional electron gas systems in metal-organic vapor-phase epitaxy grown Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/AlN/GaN heterostructures.
    Biyikli, N. ; Özgür, Ü. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-11-15), Heft 10, S. 103702-103707
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    Increased mobility anisotropy in selectively doped AlxGa1-xAs/GaAs heterostructures with high...
    Reuter, D. ; Versen, M.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-07-01), Heft 1, S. 321-325
    Online academicJournal
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