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    Room-temperature spin-oriented photocurrent under near-infrared irradiation and comparison of optical means with Shubnikov de-Haas measurements in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Tang, Y. Q. ; Shen, B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-08-13), Heft 7, S. 71920-71922
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    Anomalous linear photogalvanic effect observed in a GaN-based two-dimensional electron gas.
    Peng, X. Y. ; Zhang, Q. ; et al.
    In: Physical Review B: Condensed Matter & Materials Physics, Jg. 84 (2011-08-15), Heft 7, S. 75341:1- (5S.)
    Online academicJournal
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    New approaches for growth control of GaN-based HEMT structures.
    Hardtdegen, H. ; Steins, R. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 87 (2007-06-01), Heft 3, S. 491-498
    Online academicJournal
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    ALLOY SCATTERING AND SCALING IN THE INTEGER QUANTUM HALL PLATEAU-TO-PLATEAU TRANSITIONS.
    Li, Wanli ; Csathy, G. A. ; et al.
    In: International Journal of Modern Physics B: Condensed Matter Physics; Statistical Physics; Applied Physics, Jg. 18 (2004-11-30), Heft 27-29, S. 3569-3573
    academicJournal
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    Modeling of the growth of GaAs–AlGaAs core–shell nanowires
    Zhang, Qian ; Voorhees, Peter W. ; et al.
    In: Beilstein Journal of Nanotechnology, Jg. 8 (2017-02-01), Heft 1, S. 506-513
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