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    Epitaxial Growth of κ‐(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Layers and Superlattice Heterostructures up to x = 0.48 on Highly Conductive Al‐Doped ZnO Thin‐Film Templates by Pulsed Laser Deposition
    Kneiß, Max ; Storm, Philipp ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 258 (2021-02-01), Heft 2, S. 1-10
    Online academicJournal
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    The reliability of (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>)<subscript>0.5</subscript>In<subscript>0.5</subscript>P visible light-emitting diodes.
    Lacey, J. D. G. ; Morgan, D. V. ; et al.
    In: Quality & Reliability Engineering International, Jg. 16 (2000), Heft 1, S. 45-49
    Online academicJournal
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    Design of AlGaN/AlN Dot‐in‐a‐Wire Heterostructures for Electron‐Pumped UV Emitters.
    Dimkou, Ioanna ; Harikumar, Anjali ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 217 (2020-04-01), Heft 7, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Delta‐Doped β‐(Al<subscript>0.17</subscript>Ga<subscript>0.83</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Double‐Channel Heterostructure MODFETs.
    Atmaca, Gökhan ; Cha, Ho-Young
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 219 (2022-10-15), Heft 20, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Azimuthal Anisotropy of Rhombohedral (Corundum Phase) Heterostructures.
    Grundmann, Marius ; Lorenz, Michael
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 258 (2021-07-01), Heft 7, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Enhanced Thermoelectric Performance of Ba<subscript>8</subscript>Ga<subscript>16</subscript>Ge<subscript>30</subscript> Clathrate by Modulation Doping and Improved Carrier Mobility.
    Zhang, Yifei ; Brorsson, Joakim ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 7 (2021-02-01), Heft 2, S. 1-9
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    Electronic Transport Properties in AlInGaN/AlGaN Heterostructures.
    Li, Yao ; Zhang, Jinfeng ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 215 (2018-04-11), Heft 7, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Theoretical investigation of 2DEG concentration and mobility in the AlGaN/GaN heterostructures with various Al concentrations.
    Abgaryan, Karine ; Mutigullin, Ilya ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 12 (2015-12-01), Heft 12, S. 1376-1382
    academicJournal
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    High-responsivity AlGaN-GaN multi-quantum well UV photodetector.
    Rostami, Ali ; Ravanbaksh, Neda ; et al.
    In: International Journal of Numerical Modelling, Jg. 27 (2014-03-01), Heft 2, S. 309-317
    Online academicJournal
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    GaN‐Based Nanorods/Graphene Heterostructures for Optoelectronic Applications.
    Sarau, George ; Heilmann, Martin ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 256 (2019-04-01), Heft 4, S. N.PAG
    Online academicJournal
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