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    academicJournal
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    Demonstration of solar-blind Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N-based heterojunction phototransistors.
    Zhang, Lingxia ; Tang, Shaoji ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 107 (2015-12-07), Heft 23, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Short-wavelength (<=6400 Å) room-temperature continuous operation of p-n In0.5(AlxGa1-x)0.5P quantum well lasers.
    Dallesasse, J. M. ; Nam, D. W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 53 (1988-11-07), Heft 19, S. 1826-1828
    Online academicJournal
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    15% efficiency (1 sun, air mass 1.5), large-area, 1.93 eV AlxGa1-xAs (x=0.37) n-p solar cell grown by metalorganic vapor phase epitaxy.
    Chung, B C. ; Hamaker, H. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-02-22), Heft 8, S. 631-633
    Online academicJournal
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    Improved AlxGa1-xAs bulk lasers with superlattice interfaces.
    Fischer, R. ; Klem, J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 44 (1984), Heft 1, S. 1-3
    Online academicJournal
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    Realization of high mobility in inverted AlxGa1-xAs/GaAs heterojunctions.
    Cho, N. M. ; Kim, D. J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-06-13), Heft 24, S. 2037-2039
    Online academicJournal
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    All-epitaxial Al/AlGaN/GaN low-barrier Schottky diodes.
    Vostokov, N. V. ; Drozdov, M. N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 121 (2022-12-05), Heft 23, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Temperature characteristics of high-current UWBG enhancement and depletion mode AlGaN-channel MOSHFETs.
    Mollah, Shahab ; Gaevski, Mikhail ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-12-07), Heft 23, S. 1-5
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Characterization of GaAs/Ga1-xAlxAs heterojunction bipolar transistor structures using photoreflectance.
    Yin, X. ; Pollak, Fred H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-03-26), Heft 13, S. 1278-1280
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Bandgap and band offsets determination of semiconductor heterostructures using three-terminal ballistic carrier spectroscopy.
    Yi, Wei ; Narayanamurti, Venkatesh ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009-09-14), Heft 11, S. 112102-112104
    Online academicJournal
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    Heterojunction double-barrier diodes for logic applications.
    Liu, H. C. ; Coon, D. D.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 50 (1987-05-04), Heft 18, S. 1246-1248
    Online academicJournal
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    Subbands and charge control in a two-dimensional electron gas field-effect transistor.
    Vinter, B.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 44 (1984-02-01), Heft 3, S. 307-309
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Band offset of GaAs/AlxGa1-xAs heterojunctions from atomistic first principles.
    Wang, Yin ; Zahid, Ferdows ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-04-01), Heft 13, S. 132109-132109
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Dual-color ultraviolet metal-semiconductor-metal AlGaN photodetectors
    Gökkavas, M. ; Butun, S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, 2006
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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