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    NiO/β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> heterojunction lateral rectifiers with reverse breakdown voltage >7 kV.
    Wan, Hsiao-Hsuan ; Li, Jian-Sian ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 41 (2023-05-01), Heft 3, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Epitaxial Growth of κ‐(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Layers and Superlattice Heterostructures up to x = 0.48 on Highly Conductive Al‐Doped ZnO Thin‐Film Templates by Pulsed Laser Deposition
    Kneiß, Max ; Storm, Philipp ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 258 (2021-02-01), Heft 2, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Effect of AlxGa1−xN buffer layer on the structural and electrical properties of AlGaN/GaN/AlxGa1−xN double heterojunction high electron mobility transistor structures.
    Nam, Yongjun ; Choi, Uiho ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics, Jg. 38 (2020-03-01), Heft 2, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Theoretical evaluation of two dimensional electron gas characteristics of quaternary Al<subscript>x</subscript>ln<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1-x-y</subscript>N/GaN hetero-junctions.
    Mojaver, Hassan Rahbardar ; Manouchehri, Farzin ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-04-21), Heft 15, S. 154502-1- (7S.)
    Online academicJournal
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    Theoretical analysis of the mobility of two-dimensional electron gas in the quaternary Al<subscript>x</subscript>In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1-x-y</subscript>N/GaN heterojunctions limited by the alloy composition fluctuation.
    Li, Yao ; Zhang, Jinfeng ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 7 (2017-10-01), Heft 10, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Electron mobility for a model Al<subscript>x</subscript> Ga<subscript>1-x</subscript> As/GaAs heterojunction under pressure.
    Bai, X. P. ; Ban, S. L.
    In: European Physical Journal B: Condensed Matter, Jg. 58 (2007-07-01), Heft 1, S. 31-36
    Online academicJournal
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    Demonstration of solar-blind Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N-based heterojunction phototransistors.
    Zhang, Lingxia ; Tang, Shaoji ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 107 (2015-12-07), Heft 23, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Stark Shift and Field Induced Tunneling in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN Single Quantum Well.
    Panda, S. ; Das, T. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1832 (2017-06-16), Heft 1, S. 1-3
    Online Konferenz
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    Determination of subband energies and 2DEG characteristics of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterojunctions using variational method.
    Manouchehri, Farzin ; Valizadeh, Pouya ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 32 (2014-03-01), Heft 2, S. 1-8
    Online academicJournal
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    A schematic model of intersubband electron-electron interactions within a heavily doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1− x </subscript>As(Si)/GaAs heterojunction.
    Dubois, A.
    In: Russian Physics Journal, Jg. 51 (2008), Heft 1, S. 51-58
    Online academicJournal
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    β-Ga 2 O 3 -Based Heterostructures and Heterojunctions for Power Electronics: A Review of the Recent Advances.
    Herath Mudiyanselage, Dinusha ; Da, Bingcheng ; et al.
    In: Electronics (2079-9292), Jg. 13 (2024-04-01), Heft 7, S. 1234-1261
    Online academicJournal
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    Short-wavelength (<=6400 Å) room-temperature continuous operation of p-n In0.5(AlxGa1-x)0.5P quantum well lasers.
    Dallesasse, J. M. ; Nam, D. W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 53 (1988-11-07), Heft 19, S. 1826-1828
    Online academicJournal
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    15% efficiency (1 sun, air mass 1.5), large-area, 1.93 eV AlxGa1-xAs (x=0.37) n-p solar cell grown by metalorganic vapor phase epitaxy.
    Chung, B C. ; Hamaker, H. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-02-22), Heft 8, S. 631-633
    Online academicJournal
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    Improved AlxGa1-xAs bulk lasers with superlattice interfaces.
    Fischer, R. ; Klem, J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 44 (1984), Heft 1, S. 1-3
    Online academicJournal
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    Realization of high mobility in inverted AlxGa1-xAs/GaAs heterojunctions.
    Cho, N. M. ; Kim, D. J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-06-13), Heft 24, S. 2037-2039
    Online academicJournal
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    Solar-blind field-assisted NEA AlGaN heterojunction nanocone array photocathode.
    Liu, Lei ; Zhangyang, Xingyue ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 130 (2021-10-07), Heft 13, S. 1-10
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    Indium surfactant assisted epitaxy of non-polar (101¯0) AlGaN/InGaN multiple quantum well heterostructures.
    Dzuba, Brandon ; Senichev, Alexander ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-09-21), Heft 11, S. 1-7
    Online academicJournal
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    All-epitaxial Al/AlGaN/GaN low-barrier Schottky diodes.
    Vostokov, N. V. ; Drozdov, M. N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 121 (2022-12-05), Heft 23, S. 1-6
    Online academicJournal
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    An enhancement-mode GaAs heterojunction transistor using benzocyclobutene as gate dielectric.
    Jones, G. M. ; Hu, B. H. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-07-01), Heft 1, S. 14508-14511
    Online academicJournal
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    Intersubband Transitions in Nonpolar m‐Plane AlGaN/GaN Heterostructures.
    Nguyen, Trang ; Shirazi‐hosseini‐dokht, Mohammadali ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 215 (2018-07-01), Heft 13, S. 1-7
    Online academicJournal
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