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    Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition.
    Dhasiyan, Arun Kumar ; Amalraj, Frank Wilson ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 14 (2024-05-13), Heft 1, S. 1-18
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
    Arun Kumar Dhasiyan ; Frank Wilson Amalraj ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 14 (2024-05-01), Heft 1, S. 1-18
    Online academicJournal
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    Basic studies of gallium nitride growth on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition and optical properties of deposited layers.
    Niebuhr, R. ; Bachem, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-11-01), Heft 11, S. 1531-1534
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
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    Basic studies of gallium Nitride growth on Sapphire by metalorganuc Chemical Vapor Deposition and optical properties of deposited layers ; Grundlagenuntersuchungen zur MOCVD-Züchtung von Gallium-Nitrid auf Saphir und optische Eigenschaften von deponierten Schichten
    Niebuhr, R. ; Bachem, K. ; et al.
    1995
    academicJournal
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