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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations.
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 8-13
    Online academicJournal
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique.
    Zheng, Zejie ; Yu, Xiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    Online academicJournal
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs.
    Wen Hsin Chang ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615-4621
    Online academicJournal
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    Modeling Study of the Impact of Surface Roughness on Silicon and Germanium UTB MOSFETs.
    Low, Tony ; Li, Ming-Fu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-11-01), Heft 11, S. 2430-2439
    Online academicJournal
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    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices.
    Pei, Yunpeng ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), Heft 5, S. 1203-1210
    Online academicJournal
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    Physical Mechanisms of Mobility Enhancement in Ultrathin Body GeOI pMOSFETs Fabricated by HEtero-Layer-Lift-Off Technology.
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-03-01), Heft 3, S. 1182-1188
    Online academicJournal
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    Evaluation of Mobility Degradation Factors and Performance Improvement of Ultrathin-Body Germanium-on-Insulator MOSFETs by GOI Thinning Using Plasma Oxidation.
    Yu, Xiao ; Kang, Jian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-04-01), Heft 4, S. 1418-1425
    Online academicJournal
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    Advanced germanium layer transfer for ultra thin body on insulator structure.
    Maeda, Tatsuro ; Chang, Wen-Hsin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-12-26), Heft 26, S. 262104-1- (5S.)
    Online academicJournal
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    Demonstration of ultra-thin buried oxide germanium-on-insulator MOSFETs by direct wafer bonding and polishing techniques.
    Zheng, Zejie ; Yu, Xiao ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-07-11), Heft 2, S. 23503-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Characterization of electron mobility in ultrathin body germanium-on-insulator metal-insulator-semiconductor field-effect transistors.
    Hyun Lee, Choong ; Nishimura, Tomonori ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-06-10), Heft 23, S. 232107-232110
    Online academicJournal
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    Impact of Quantum Confinement on Backgate-Bias Modulated Threshold-Voltage and Subthreshold Characteristics for Ultra-Thin-Body GeOI MOSFETs.
    Yu, Chang-Hung ; Wu, Yu-Sheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-07-01), Heft 7, S. 1851-1855
    Online academicJournal
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    Investigation of Electrostatic Integrity for Ultrathin-Body Germanium-On-Nothing MOSFET.
    Hu, Vita Pi-Ho ; Wu, Yu-Sheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 10 (2011-04-01), Heft 2, S. 325-330
    Online academicJournal
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    Performance Evaluation of Silicon and Germanium Ultrathin Body (1 nm) Junctionless Field-Effect Transistor With Ultrashort Gate Length (1 nm and 3 nm).
    Jhan, Yi-Ruei ; Thirunavukkarasu, Vasanthan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-07-01), Heft 7, S. 654-656
    Online academicJournal
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    Band-to-Band-Tunneling Leakage Suppression for Ultra-Thin-Body GeOI MOSFETs Using Transistor Stacking.
    Hu, Vita Pi-Ho ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-02-01), Heft 2, S. 197-199
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Impact of Quantum Confinement on Short-Channel Effects for Ultrathin-Body Germanium-on-Insulator MOSFETs.
    Wu, Yu-Sheng ; Hsieh, Hsin-Yuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011), Heft 1, S. 18-20
    Online academicJournal
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    Germanium Source and Drain Stressors for Ultrathin-Body and Nanowire Field-Effect Transistors.
    Liow, Tsung-Yang ; Tan, Kian-ming ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-07-01), Heft 7, S. 808-810
    Online academicJournal
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    Electron mobility in Ge and strained-Si channel ultrathin-body metal-oxide semi conductor field-effect transistors.
    Low, Tony ; Li, M. F. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-09-20), Heft 12, S. 2402-2404
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Ultimate Performance Projection of Ultrathin Body Transistor Based on Group IV, III-V, and 2-D-Materials.
    Low, Kain Lu ; Yeo, Yee-Chia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-02-01), Heft 2, S. 773-780
    Online academicJournal
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