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    The influence of temperature and TMGa flow rate on the quality of p -GaN
    Cao, Zikun ; Wang, Xiaowei ; et al.
    In: AIP Advances ; volume 11, issue 3 ; ISSN 2158-3226, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Pressure effect on the Fermi surface and electronic structure of LuGa3 and TmGa3
    Pluzhnikov, V. B. ; Grechnev, G. E. ; et al.
    In: Low Temperature Physics ; volume 31, issue 3, page 313-320 ; ISSN 1063-777X 1090-6517, 2005
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Enhanced light output of InGaN LEDs with a roughened p-GaN surface using different TMGa flow rates in p-AlGaN layer
    Tsai, P.C. ; Chen, W.R. ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 256, issue 22, page 6694-6698 ; ISSN 0169-4332, 2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Thermoelectric properties of semiconductorlike intermetallic compounds TMGa3 (TM=Fe, Ru, and Os)
    Amagai, Y. ; Yamamoto, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 96, issue 10, page 5644-5648 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2004
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Morphological and luminescent characteristics of GaN dots deposited on AlN by alternate supply of TMG and NH3
    Tsai, Yu-Li ; Gong, Jyh-Rong ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 252, issue 10, page 3454-3459 ; ISSN 0169-4332, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fermi Surface and Magnetic Structure of TmGa 3
    Biasini, M. ; Kontrym-Sznajd, G. ; et al.
    In: Physical Review Letters ; volume 86, issue 20, page 4616-4619 ; ISSN 0031-9007 1079-7114, 2001
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    In-situ observation of Ga adsorption during TMGa exposure on GaAs(001) surfaces with various As coverages
    Otake, Shigeyuki ; Sakamoto, Akira ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 82-83, page 263-268 ; ISSN 0169-4332, 1994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Kosterlitz-Thouless melting of magnetic order in the triangular quantum Ising material TmMgGaO4
    Li, Han ; Liao, Yuan Da ; et al.
    In: Nature Communications ; volume 11, issue 1 ; ISSN 2041-1723, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Surface structure of MgO underlayer with Ti diffusion for (002) oriented L 1 FePt-based heat assisted magnetic recording media
    Hinata, Sintaro ; Jo, Shin ; et al.
    In: AIP Advances ; volume 8, issue 5 ; ISSN 2158-3226, 2018
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Parameters study on the growth of GaAs nanowires on indium tin oxide by metal-organic chemical vapor deposition
    Wu, Dan ; Tang, Xiaohong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 119, issue 9 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Correlation between amplitude of spin accumulation signals investigated by Hanle effect measurement and effective junction barrier height in CoFe/MgO/n+-Si junctions
    Saito, Y. ; Ishikawa, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 117, issue 17 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2015
    academicJournal
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    InGaAs/GaAsP superlattice solar cells with reduced carbon impurity grown by low-temperature metal-organic vapor phase epitaxy using triethylgallium
    Fujii, Hiromasa ; Toprasertpong, Kasidit ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 116, issue 20 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2014
    academicJournal
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    Effect of thickness of MgO, Co-Fe-B, and Ta layers on perpendicular magnetic anisotropy of [Ta/Co60Fe20B20/MgO]5 multilayered films
    Yuan, Fu-Te ; Lin, Yi-Hung ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 111, issue 7 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2012
    academicJournal
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    Fabrication of fully epitaxial Co2MnSi∕MgO∕Co2MnSi magnetic tunnel junctions
    Ishikawa, Takayuki ; Hakamata, Shinya ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 103, issue 7 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2008
    academicJournal
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    Influence of ferromagnetic substrate on the magnetoresistance of Cr film across a nonmagnetic insulating layer
    Jin, Xuesong ; Shvets, I. V.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 94, issue 8, page 5035-5040 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2003
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Antiferromagnetic coupling by spin polarized tunneling
    Faure-Vincent, J. ; Tiusan, C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 93, issue 10, page 7519-7521 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2003
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Effect of buffer layers and stacking faults on the reduction of threading dislocation density in GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Cho, Hyung Koun ; Lee, Jeong Yong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 89, issue 5, page 2617-2621 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2001
    Online academicJournal
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    Photoluminescence studies on Si-doped GaAs/Ge
    Hudait, M. K. ; Modak, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 83, issue 8, page 4454-4461 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 1998
    Online academicJournal
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    Growth mechanisms in atomic layer epitaxy of GaAs
    Arès, R. ; Watkins, S. P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 83, issue 6, page 3390-3397 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 1998
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    X-ray diffraction analysis of InGaP/GaAs heterointerfaces grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Nittono, Takumi ; Hyuga, Fumiaki
    In: Journal of Applied Physics ; volume 81, issue 6, page 2607-2610 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 1997
    Online academicJournal
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