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    Delivery of Nematicides Using TMGMV-Derived Spherical Nanoparticles
    Caparco, Adam A. ; González-Gamboa, Ivonne ; et al.
    In: Nano Letters ; volume 23, issue 12, page 5785-5793 ; ISSN 1530-6984 1530-6992, 2023
    academicJournal
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    Enhanced lateral growth of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing periodically pulsed-TMGa flows
    Qiu, Xinjia ; Lv, Zesheng ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 131, page 59-65 ; ISSN 0749-6036, 2019
    academicJournal
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    Role of the TMG flow rate on the GaN layer properties grown by MOVPE on (hkl) GaAs substrates
    Laifi, J. ; Saidi, C. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing ; volume 101, page 253-261 ; ISSN 1369-8001, 2019
    academicJournal
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    A two dimensional analytical modeling of surface potential in triple metal gate (TMG) fully-depleted Recessed-Source/Drain (Re-S/D) SOI MOSFET
    Priya, Anjali ; Mishra, Ram Awadh
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 92, page 316-329 ; ISSN 0749-6036, 2016
    academicJournal
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    Modelling and simulation of tri-material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET using Legendre Wavelets for analog/RF applications
    Ramesh, R. ; Bhattacharyya, A. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 97, page 575-585 ; ISSN 0749-6036, 2016
    academicJournal
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    Numerical modeling of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET considering quantum mechanical effects
    Padmanaban, B. ; Ramesh, R. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 82, page 40-54 ; ISSN 0749-6036, 2015
    academicJournal
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    Numerical modeling on the optical characteristics of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET
    Ramesh, R. ; Madheswaran, M. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 85, page 418-432 ; ISSN 0749-6036, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A development of the LED TMGa precursor reuse technology
    Yoon, Jae-sik ; Yang, Jae-yeol ; et al.
    In: Materials Letters ; volume 93, page 153-156 ; ISSN 0167-577X, 2013
    academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Electronic properties of twisted multilayer graphene
    Nguyen, Viet-Hung ; Hoang, Trinh X ; et al.
    In: Journal of Physics: Materials, Vol. 5, no.3, p. 034003 (2022, 2022
    Online academicJournal
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    Electronic properties of twisted multilayer graphene
    Nguyen, Viet-Hung ; Hoang, Trinh X ; et al.
    In: Journal of Physics: Materials, Vol. 5, no.3, p. 034003 (2022, 2022
    Online academicJournal
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    Al Incorporation up to 99% in Metalorganic Chemical Vapor Deposition‐Grown Monoclinic (Al x Ga 1– x ) 2 O 3 Films Using Trimethylgallium
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Meng, Lingyu ; et al.
    In: physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters ; volume 17, issue 10 ; ISSN 1862-6254 1862-6270, 2023
    academicJournal
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    Laser‐Assisted Metal–Organic Chemical Vapor Deposition of Gallium Nitride
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters ; volume 15, issue 6 ; ISSN 1862-6254 1862-6270, 2021
    academicJournal
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    Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor
    Niu, Huidan ; Yao, Weizhen ; et al.
    In: CrystEngComm ; volume 25, issue 8, page 1263-1269 ; ISSN 1466-8033, 2023
    Online academicJournal
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    Effects of precursor additives on the stability of plasma enhanced chemical vapor deposited a-GeC(O):H films
    Grill, A. ; Guilley, S. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 17, issue 2, page 367-375 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 2002
    academicJournal
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    Growth kinetics and characterizations of gallium nitride thin films by remote PECVD
    Choi, S.W. ; Bachmann, K.J. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 8, issue 4, page 847-854 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 1993
    academicJournal
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    Organometallic vapour phase epitaxy of galliumarsenide using Ga(CH 3 ) 3 · N(CH 3 ) 3 ‐adduct as precursor
    Seifert, W. ; Ploska, K. ; et al.
    In: Crystal Research and Technology ; volume 24, issue 1, page 29-33 ; ISSN 0232-1300 1521-4079, 1989
    academicJournal
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    Synthesis of the new RGaMnO5 (R = Ho, Er, Tm) oxides: Structural and magnetic features
    Calle, Cristina de la ; Alonso, Jose A. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 24, issue 9, page 2837-2844 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 2009
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    Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition Growth Window for Undoped Gallium Antimonide
    Subekti, A. ; Goldys, E. M. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 14, issue 4, page 1238-1245 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 1999
    academicJournal
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    Carry‐over ‐ A Fundamental Problem in the MOVPE Growth of Heterostructures
    Keller, B. P. ; Brühl, H. G. ; et al.
    In: Crystal Research and Technology ; volume 27, issue 5, page 617-622 ; ISSN 0232-1300 1521-4079, 1992
    academicJournal
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