Zum Hauptinhalt springen
UB Siegen

Suchergebnisse

Katalog

Aufsätze & mehr
17 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Notation".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

17 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Enhanced lateral growth of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing periodically pulsed-TMGa flows
    Qiu, Xinjia ; Lv, Zesheng ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 131, page 59-65 ; ISSN 0749-6036, 2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Role of the TMG flow rate on the GaN layer properties grown by MOVPE on (hkl) GaAs substrates
    Laifi, J. ; Saidi, C. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing ; volume 101, page 253-261 ; ISSN 1369-8001, 2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    A two dimensional analytical modeling of surface potential in triple metal gate (TMG) fully-depleted Recessed-Source/Drain (Re-S/D) SOI MOSFET
    Priya, Anjali ; Mishra, Ram Awadh
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 92, page 316-329 ; ISSN 0749-6036, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Modelling and simulation of tri-material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET using Legendre Wavelets for analog/RF applications
    Ramesh, R. ; Bhattacharyya, A. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 97, page 575-585 ; ISSN 0749-6036, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Numerical modeling of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET considering quantum mechanical effects
    Padmanaban, B. ; Ramesh, R. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 82, page 40-54 ; ISSN 0749-6036, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Numerical modeling on the optical characteristics of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET
    Ramesh, R. ; Madheswaran, M. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 85, page 418-432 ; ISSN 0749-6036, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A development of the LED TMGa precursor reuse technology
    Yoon, Jae-sik ; Yang, Jae-yeol ; et al.
    In: Materials Letters ; volume 93, page 153-156 ; ISSN 0167-577X, 2013
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Electronic properties of twisted multilayer graphene
    Nguyen, Viet-Hung ; Hoang, Trinh X ; et al.
    In: Journal of Physics: Materials, Vol. 5, no.3, p. 034003 (2022, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Electronic properties of twisted multilayer graphene
    Nguyen, Viet-Hung ; Hoang, Trinh X ; et al.
    In: Journal of Physics: Materials, Vol. 5, no.3, p. 034003 (2022, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Al Incorporation up to 99% in Metalorganic Chemical Vapor Deposition‐Grown Monoclinic (Al x Ga 1– x ) 2 O 3 Films Using Trimethylgallium
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Meng, Lingyu ; et al.
    In: physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters ; volume 17, issue 10 ; ISSN 1862-6254 1862-6270, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor
    Niu, Huidan ; Yao, Weizhen ; et al.
    In: CrystEngComm ; volume 25, issue 8, page 1263-1269 ; ISSN 1466-8033, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effects of precursor additives on the stability of plasma enhanced chemical vapor deposited a-GeC(O):H films
    Grill, A. ; Guilley, S. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 17, issue 2, page 367-375 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 2002
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Growth kinetics and characterizations of gallium nitride thin films by remote PECVD
    Choi, S.W. ; Bachmann, K.J. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 8, issue 4, page 847-854 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 1993
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Organometallic vapour phase epitaxy of galliumarsenide using Ga(CH 3 ) 3 · N(CH 3 ) 3 ‐adduct as precursor
    Seifert, W. ; Ploska, K. ; et al.
    In: Crystal Research and Technology ; volume 24, issue 1, page 29-33 ; ISSN 0232-1300 1521-4079, 1989
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Synthesis of the new RGaMnO5 (R = Ho, Er, Tm) oxides: Structural and magnetic features
    Calle, Cristina de la ; Alonso, Jose A. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 24, issue 9, page 2837-2844 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 2009
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition Growth Window for Undoped Gallium Antimonide
    Subekti, A. ; Goldys, E. M. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 14, issue 4, page 1238-1245 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 1999
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Carry‐over ‐ A Fundamental Problem in the MOVPE Growth of Heterostructures
    Keller, B. P. ; Brühl, H. G. ; et al.
    In: Crystal Research and Technology ; volume 27, issue 5, page 617-622 ; ISSN 0232-1300 1521-4079, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

Elektronische Zeitschriften

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -