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    Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor
    Niu, Huidan ; Yao, Weizhen ; et al.
    In: CrystEngComm ; volume 25, issue 8, page 1263-1269 ; ISSN 1466-8033, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Organometallic vapour phase epitaxy of galliumarsenide using Ga(CH 3 ) 3 · N(CH 3 ) 3 ‐adduct as precursor
    Seifert, W. ; Ploska, K. ; et al.
    In: Crystal Research and Technology ; volume 24, issue 1, page 29-33 ; ISSN 0232-1300 1521-4079, 1989
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Carry‐over ‐ A Fundamental Problem in the MOVPE Growth of Heterostructures
    Keller, B. P. ; Brühl, H. G. ; et al.
    In: Crystal Research and Technology ; volume 27, issue 5, page 617-622 ; ISSN 0232-1300 1521-4079, 1992
    academicJournal
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