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    Enhanced light output of InGaN LEDs with a roughened p-GaN surface using different TMGa flow rates in p-AlGaN layer
    Tsai, P.C. ; Chen, W.R. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 256 (2010-09-01), Heft 22, S. 6694-6698
    Online academicJournal
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    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers.
    Hospodková, Alice ; Čížek, Jakub ; et al.
    In: Materials (1996-1944), Jg. 15 (2022-10-01), Heft 19, S. 6916-6928
    Online academicJournal
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    Effect of substrate temperature and Ga source precursor on growth and material properties of GaN grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
    Haider, Ali ; Kizir, Seda ; et al.
    In: 2016 IEEE 36th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), 2016-04-01, S. 132-134
    Online Konferenz
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    Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3.
    Pansila, P. ; Kanomata, K. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 357 (2015-12-02), S. 1920-1927
    Online academicJournal
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    Low temperature epitaxial deposition of GaN on LTCC substrates
    Alexandrov, Dimiter ; Tot, Jonny ; et al.
    In: 2017 IEEE 5th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 2017-10-01, S. 48-54
    Online Konferenz
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    GaN buffer layer growth by MOCVD using a thermodynamic non-equilibrium model
    Guarneros, C. ; Sánchez, V.
    In: Vacuum, Jg. 84 (2010-05-19), Heft 10, S. 1187-1190
    Online academicJournal
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    The growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method
    Komae, Yasuaki ; Saitou, Takeshi ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 517 (2009-04-30), Heft 12, S. 3528-3531
    Online academicJournal
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    Growth of GaN layer with preserved nano-columnar low temperature GaN buffer to reduce the wafer bowing.
    Shin, In-Su ; Lee, Donghyun ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 546 (2013-11-01), S. 118-123
    Online academicJournal
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    Low-temperature self-limiting growth of III-nitride thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition
    Biyikli, N. ; Ozgit, C. ; et al.
    In: Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2012
    Online academicJournal
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    Growth of network structured carbon-doped GaN (GaN:C) nanowires using a modified metal-organic chemical vapor deposition.
    Kim, Hong Tak ; Kim, Chan-Duk ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 123 (2016), S. 82-85
    Online academicJournal
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    Effects of reaction-kinetic parameters on modeling reaction pathways in GaN MOVPE growth
    Zhang, Hong ; Zuo, Ran ; et al.
    In: SCI, 2017
    Online academicJournal
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