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    Residual impurities in GaN/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    Ishibashi, Akihiko ; Takeishi, Hidemi ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-05-01), Heft 5, S. 799-803
    Online academicJournal
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    Effect of structural defects and chemical impurities on hall mobilities in low pressure MOCVD grown GaN
    Hwang, C. Y. ; Schurman, M. J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-03-01), Heft 3, S. 243-251
    Online academicJournal
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    In situ FTIR and surface analysis of the reaction of trimethylgallium and ammonia
    Mazzarese, D. ; Tripathi, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989-05-01), Heft 3, S. 369-377
    Online academicJournal
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    Properties of GaN epitaxial layers grown at high growth rates by metalorganic chemical vapor deposition
    Kokubun, Y. ; Nishio, J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001), Heft 1, S. 23-26
    Online academicJournal
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    Mass spectroscopy study of GaN metalorganic chemical vapor deposition
    Pakk, Yongjo ; Pavlidis, Dimitris
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-09-01), Heft 9, S. 1554-1560
    Online academicJournal
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    Vapor pressures of the adducts formed during AlGaN organometallic vapor-phase epitaxy
    Creighton, J. Randall
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 31 (2002-12-01), Heft 12, S. 1337-1340
    Online academicJournal
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    In-situ monitoring of surface stoichiometry and growth kinetics study of GaN (0001) in MOVPE by spectroscopic ellipsometry
    Taniyasu, Yoshitaka ; Yoshikawa, Akihiko
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-11-01), Heft 11, S. 1402-1407
    Online academicJournal
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