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    Study on Schottky AlxGa1-xN/GaN IMPATT Diodes for Millimeter-Wave Application
    Dai, Y. ; Dang, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 4853-4858
    Online academicJournal
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    Fabrication, properties, and photodetector of β-(AlxGa1-x)2O3/GaN heteroepitaxial films grown by MOCVD.
    Chen, Rongrong ; Zhu, Hongyan ; et al.
    In: Ceramics International, Jg. 50 (2024-03-15), Heft 6, S. 9363-9371
    Online academicJournal
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    Interdependence of Electronic and Thermal Transport in AlxGa1–xN Channel HEMTs
    Chatterjee, B. ; Lundh, J.S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-03-01), Heft 3, S. 461-464
    Online academicJournal
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    Impact of AlGaN barrier layer on DC and AC characteristics of AlxGa1−xN/GaN MOSHEMT
    Tiwari, Nishi ; Gupta, Suraj Kumar ; et al.
    In: 2017 1st International Conference on Electronics, Materials Engineering and Nano-Technology (IEMENTech), 2017-04-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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    A design and comparative investigation of graded Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 − x</subscript> N QB for W-Al<subscript>0.58</subscript>GaN/W-Al<subscript>0.64–0.58</subscript> GaN DUV laser diode on AlN substrate.
    Rehman, Hameed Ur ; Rahman, Naveed Ur ; et al.
    In: European Physical Journal D (EPJ D), Jg. 78 (2024-02-01), Heft 2, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Achieving High-Performance Blue GaN-Based Light-Emitting Diodes by Energy Band Modification on AlxInyGa1–x–yN Electron Blocking Layer
    Lin, Z. ; Wang, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-02-01), Heft 2, S. 472-480
    Online academicJournal
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    Analytical surface potential based model for AlxGa1−xN/AlyGa1−yN/GaN DH HEMTs
    Wang, Jie ; Lu, Haiyan ; et al.
    In: 2016 IEEE International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology (ICMMT), Jg. 1 (2016-06-01), S. 536-538
    Online Konferenz
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    Comparison of the AlxGa1–xN/GaN Heterostructures Grown on Silicon-on-Insulator and Bulk-Silicon Substrates
    Tham, W.H. ; Ang, D.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 345-352
    Online academicJournal
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    Thermal stress analysis and structural design of AlxGa1−xN/GaN epilayers based on Si substrate
    Yang, Kai ; Lin, Bin ; et al.
    In: 2013 10th China International Forum on Solid State Lighting (ChinaSSL), 2013-11-01, S. 295-298
    Online Konferenz
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    Specifics of Heat Transfer in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript> <subscript>x</subscript>N/GaN Heterostructures on Sapphire
    Chernodubov, D. A. ; Maiboroda, I. O. ; et al.
    In: Physics of the Solid State, Jg. 62 (2020-04-01), Heft 4, S. 722-726
    Online academicJournal
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    Reactive ion etching of AlxGa1−xN/GaN heterostructure using Cl2, BCl3/Ar gas plasma
    Oleszkiewicz, W. ; Gryglewicz, J. ; et al.
    In: The Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, 2010-10-01, S. 49-52
    Online Konferenz
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    Numerical Simulation of AlXGa1-XN/AlN/GaN HEMT
    Xue, Lijun ; Wang, Yan ; et al.
    In: 2005 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2005, S. 799-802
    Online Konferenz
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    A comprehensive transport model for the electron mobility in AlxGa1−xN lattices-matched to GaN
    Yao, Qing-Yang ; Yang, Lin-An ; et al.
    In: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2010-11-01, S. 1545-1547
    Online Konferenz
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    academicJournal
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    Microwave characteristics of AlxGa1-xN/InxGa1-xN/GaN-based HEMT using propagation delay model
    Lenka, T. R. ; Panda, A. K.
    In: 2009 4th International Conference on Computers and Devices for Communication (CODEC), 2009-12-01, S. 1
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    Influence of the Al mole fraction on microwave noise performance of AlxGa1-xN/GaN HEMTs
    Xu, Yuehang ; Guo, Yunchuan ; et al.
    In: 2009 International Conference on Communications, Circuits and Systems, 2009-07-01, S. 759
    Online Konferenz
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    AlxSiyNz passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors
    Brown, Richard J. ; Harvard, Ekaterina ; et al.
    In: 2009 Device Research Conference, 2009-06-01, S. 153
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    High sensitivity pH sensor using AlXGa1-XN/GaN HEMT heterostructure design
    Huang, Hsin-Shun ; Lin, Chao-Wei ; et al.
    In: 2008 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Morphology and microstructure evolution of AlxGa1-xN epilayers grown on GaN/sapphire templates with AlN interlayers observed by transmission electron microscopy
    Lu, L. ; Shen, B. ; et al.
    In: 2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2008-10-01, S. 722
    Online Konferenz
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    Magnetotransport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures under illumination
    Tang, Ning ; Shen, Bo ; et al.
    In: 2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2008-10-01, S. 1122
    Online Konferenz
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