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    academicJournal
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    Behaviors of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N (0.5⩽<f>x</f>⩽1.0)/GaN short period strained-layer superlattices on the threading dislocation density reduction in GaN films
    Gong, J.R. ; Huang, C.W. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004-01-02), Heft 1/2, S. 73-78
    Online academicJournal
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    Femtosecond-laser induced two-photon absorption of GaN and AlxGa1-xN thin films: Tuning the nonlinear optical response by alloying and doping.
    Vivas, M.G. ; Manoel, D.S. ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 825 (2020-06-05), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Ultraviolet emission efficiencies of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N films pseudomorphically grown on Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1−y</subscript>N template (x<y) with various Al-content combinations
    Fu, D. ; Zhang, R. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 519 (2011-09-01), Heft 22, S. 8013-8017
    Online academicJournal
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    Brillouin characterization of the acousticwaves phase-velocity in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N epilayers
    Rubio-Zuazo, J. ; Jiménez-Riob, R.J. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 93 (2002-05-30), Heft 1-3, S. 168-171
    Online academicJournal
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    Temperature dependence of thermal conductivity of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N thin films measured by the differential 3ω technique.
    Liu, Weili ; Balandin, Alexander A.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-11-29), Heft 22, S. 5230-5232
    Online academicJournal
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    Hollow cathode plasma-assisted atomic layer deposition of crystalline AlN, GaN and AlxGa1-xN thin films at low temperatures
    Ozgit-Akgun, C. ; Goldenberg, E. ; et al.
    In: Journal of Materials Chemistry C, 2014
    Online academicJournal
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    Optical characteristics of nanocrystalline AlxGa1-xN thin films deposited by hollow cathode plasma-assisted atomic layer deposition
    Goldenberg, E. ; Ozgit-Akgun, C. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 2014
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    X-ray diffraction analysis of the defect structure in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 - x</subscript>N films grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Park, Y. S. ; Kim, K. H. ; et al.
    In: Journal of Materials Science, Jg. 39 (2004-03-01), Heft 5, S. 1853-1855
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A systematic study on the efficacy of low-temperature GaN regrown on p-GaN to suppress Mg out-diffusion.
    Kwang Jae Lee ; Wen, Xinyi ; et al.
    In: Frontiers in Materials, 2023-12-19, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Biaxial Relaxation Coefficient in Group-III Nitride Quantum Wells and Thin Films.
    ŁEPKOWSKI, S. P. ; ANWAR, ABDUR-REHMAN
    In: Acta Physica Polonica: A, Jg. 141 (2022-02-01), Heft 2, S. 130-134
    academicJournal
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    Growth of crack-free GaN films on Si(111) substrate by using Al-rich AlN buffer layer.
    Lu, Yuan ; Cong, Guangwei ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-11-01), Heft 9, S. 4982-4988
    Online academicJournal
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    Electrical properties and deep traps spectra of N-polar and Ga-polar AlGaN films grown by molecular beam epitaxy in a wide composition range.
    Zhuravlev, K. S. ; Mansurov, V. G. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-06-01), Heft 11, S. 113712-1- (8S.)
    Online academicJournal
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    Compositional modulation and optical emission in AlGaN epitaxial films.
    Gao, Min ; Bradley, S. T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-11-15), Heft 10, S. 103512-103523
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Vertical injection thin-film AlGaN/AlGaN multiple-quantum-well deep ultraviolet light-emitting diodes.
    Zhou, L. ; Epler, J. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-12-11), Heft 24, S. 241113-241115
    Online academicJournal
    Zugriff:
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