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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N<subscript>2</subscript>/H<subscript>2</subscript> excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power.
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 391 (2014-04-01), S. 97-103
    Online academicJournal
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    Enhanced light output of InGaN LEDs with a roughened p-GaN surface using different TMGa flow rates in p-AlGaN layer
    Tsai, P.C. ; Chen, W.R. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 256 (2010-09-01), Heft 22, S. 6694-6698
    Online academicJournal
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    Effect of AlInGaN barrier layers with various TMGa flows on optoelectronic characteristics of near UV light-emitting diodes grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    Fu, Yi-Keng ; Lu, Yu-Hsuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 62 (2011-08-01), Heft 1, S. 142-145
    Online academicJournal
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    A development of the LED TMGa precursor reuse technology
    Yoon, Jae-sik ; Yang, Jae-yeol ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 93 (2013-02-15), S. 153-156
    Online academicJournal
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    Understanding the influence of physical properties on the mechanical characteristics of Mg-doped GaN thin films.
    Benzarti, Z. ; Khalfallah, A. ; et al.
    In: Materials Chemistry & Physics, Jg. 307 (2023-10-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    The influence of GaN growth temperature on parasitic masking in SA-MOVPE using PECVD SiO2 mask.
    Stȩpniak, Michał ; Wośko, Mateusz ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 168 (2023-12-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3.
    Pansila, P. ; Kanomata, K. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 357 (2015-12-02), S. 1920-1927
    Online academicJournal
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    Ethylene for carbon doping of GaN by atmospheric pressure metal organic chemical vapor deposition.
    Zhang, Li ; Dong, Zhongyuan ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 345 (2023-08-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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    Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    Lin, Chia-Hung ; Abe, Ryota ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 352 (2012-08-01), Heft 1, S. 214-217
    Online academicJournal
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    Understanding and controlling Ga contamination in InAlN barrier layers.
    Mrad, M. ; Charles, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 507 (2019-02-01), S. 139-142
    Online academicJournal
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    Fabrication of submicron active-region-buried GaN hexagonal frustum structures by selective area growth for directional micro-LEDs.
    Kumagai, Naoto ; Takahashi, Tokio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 507 (2019-02-01), S. 437-441
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    GaN buffer layer growth by MOCVD using a thermodynamic non-equilibrium model
    Guarneros, C. ; Sánchez, V.
    In: Vacuum, Jg. 84 (2010-05-19), Heft 10, S. 1187-1190
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    Characterizations of GaN film growth by ECR plasma chemical vapor deposition
    Fu, Silie ; Chen, Junfang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-06-01), Heft 12, S. 3325-3331
    Online academicJournal
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    The growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method
    Komae, Yasuaki ; Saitou, Takeshi ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 517 (2009-04-30), Heft 12, S. 3528-3531
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    Metalorganic vapor-phase epitaxy of GaN from trimethylgallium and tertiarybutylhydrazine
    Hsu, Yu Jen ; Hong, Lu Sheng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 252 (2003-05-01), Heft 1-3, S. 144-151
    Online academicJournal
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    Low temperature metalorganic chemical vapor deposition of gallium nitride using dimethylhydrazine as nitrogen source
    Hsu, Yu Jen ; Hong, Lu Sheng ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 419 (2002-11-01), Heft 1/2, S. 33-39
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    Field enhanced GaN photocathode and a proposed implementation method.
    Wang, Xiaohui ; Yu, He ; et al.
    In: Optik - International Journal for Light & Electron Optics, Jg. 144 (2017-09-01), S. 281-288
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    Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p++-GaN layer.
    Liang, Feng ; Zhao, Degang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 467 (2017-06-01), S. 1-5
    Online academicJournal
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    Growth of GaN layer with preserved nano-columnar low temperature GaN buffer to reduce the wafer bowing.
    Shin, In-Su ; Lee, Donghyun ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 546 (2013-11-01), S. 118-123
    Online academicJournal
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