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    A study of parasitic reactions between NH<subscript>3</subscript> and TMGa or TMAI
    Chen, C. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-06-01), Heft 6, S. 1004-1008
    Online academicJournal
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    Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence
    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-09-01), Heft 9, S. 5138-5143
    Online academicJournal
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    Emission infrared spectroscopy for in situ analysis of the OMVPE growth surface
    Mazzarese, D. ; Jones, K. A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 329-333
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
    Dhasiyan, Arun Kumar ; Amalraj, Frank Wilson ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 14 (2024-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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    Basic studies of gallium nitride growth on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition and optical properties of deposited layers
    Niebuhr, R. ; Bachem, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-11-01), Heft 11, S. 1531-1534
    Online academicJournal
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