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    Fast growth rate of epitaxial β–Ga2O3 by close coupled showerhead MOCVD.
    Alema, Fikadu ; Hertog, Brian ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 475 (2017-10-01), S. 77-82
    Online academicJournal
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    Accelerated GaAs growth through MOVPE for low-cost PV applications.
    Ubukata, Akinori ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 489 (2018-05-01), S. 63-67
    Online academicJournal
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    Effects of reaction-kinetic parameters on modeling reaction pathways in GaN MOVPE growth.
    Zhang, Hong ; Zuo, Ran ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 478 (2017-11-15), S. 193-204
    Online academicJournal
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    Lasing properties of AlGaAs/GaAs material diode lasers grown by MOCVD using TBA in N<subscript>2</subscript> ambient
    Bo, Baoxue ; Tang, Xiaohong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 268 (2004-08-01), Heft 3/4, S. 415-419
    Online academicJournal
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    Growth of gallium oxide thin films on silicon by the metal organic chemical vapor deposition method
    Kim, Hyoun Woo ; Kim, Nam Ho
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 110 (2004-06-25), Heft 1, S. 34-37
    Online academicJournal
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    Improvement in optical properties and surface morphologies of GaN films using low-temperature GaN interlayers
    Tsai, Y.L. ; Gong, J.R.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 263 (2004-03-01), Heft 1-4, S. 176-180
    Online academicJournal
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    MOVPE growth of grade-strained bulk InGaAs/InP for broad-band optoelectronic device applications
    Wang, Shurong ; Wang, Wei ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004-01-09), Heft 3/4, S. 464-468
    Online academicJournal
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    A multiscale study of the selective MOVPE of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As in the presence of HCl
    Cavallotti, Carlo ; Nemirovskaya, Maria ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 248 (2003-02-01), Heft 1-4, S. 411-416
    Online academicJournal
    Zugriff:
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