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    Ab initio theoretical study of arsine and trimethylgallium: The formation of GaAs by a stable adduct.
    Graves, Richard M. ; Scuseria, Gustavo E.
    In: Journal of Chemical Physics, Jg. 96 (1992-03-01), Heft 5, S. 3723-3731
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    Decomposition of trimethylgallium on the gallium-rich GaAs (100) surface: Implications for atomic layer epitaxy.
    Creighton, J. Randall ; Lykke, Keith R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-07-16), Heft 3, S. 279-281
    Online academicJournal
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    Atomic layer epitaxy of GaP and elucidation for self-limiting mechanism.
    Sakuma, Y. ; Kodama, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-02-26), Heft 9, S. 827-829
    Online academicJournal
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    Thickness inhomogeneities and growth mechanisms of GaP heteroepitaxy by organometallic chemical vapor deposition.
    Liu, X. ; Aspnes, D. E.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 28 (2010-07-01), Heft 4, S. 583-589
    Online academicJournal
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    Atomic layer epitaxy of GaInP ordered alloy.
    McDermott, B. T. ; Reid, K. G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-03-19), Heft 12, S. 1172-1174
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