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    Effect of annealing temperature on the hole concentration and lattice relaxation of carbon-doped GaAs and AlxGa1-xAs.
    Höfler, G. E. ; Höfler, H. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 72 (1992-12-01), Heft 11, S. 5318-5324
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    Enhanced carrier diffusion lengths and photon transport in AlxGa1-x As/GaAs structures.
    Bradshaw, J. L. ; Choyke, W. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 67 (1990-02-01), Heft 3, S. 1483-1491
    Online academicJournal
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    Application of thin silicon films to closed-tube Si and Zn diffusion in GaAs and AlxGa1-xAs.
    Vawter, G. Allen ; Omura, Etsuji ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 63 (1988-06-01), Heft 11, S. 5541-5547
    Online academicJournal
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    Synthesis of high Al content AlxGa1−xN ternary films by pulsed laser co-ablation of GaAs and Al targets assisted by nitrogen plasma.
    Cai, Hua ; You, Qinghu ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 616 (2014-12-15), S. 137-141
    Online academicJournal
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    Free carrier absorption in Be-doped epitaxial AlGaAs thin films.
    Rinzan, M. B. M. ; Esaev, D. G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-11-29), Heft 22, S. 5236-5238
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    Extreme selectivity in the lift-off of epitaxial GaAs films.
    Yablonovitch, Eli ; Gmitter, T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 51 (1987-12-28), Heft 26, S. 2222-2224
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    Minority-carrier lifetime in GaAs thin films.
    Ahrenkiel, R. K. ; Dunlavy, D. J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 53 (1988-08-15), Heft 7, S. 598-599
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