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    Optical absorptions in AlxGa1-xAs/GaAs quantum well for solar energy application.
    Yang, X. F. ; Liu, Y. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 112 (2012-09-01), Heft 5, S. 54314-54318
    Online academicJournal
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    Quantum-well AlxGa1 - xAs-GaAs heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Dupuis, R. ; Dapkus, P. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 15 (1979-08-01), Heft 8, S. 756-761
    Online academicJournal
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    Exchange interaction effect on the dark current in n-type AlxGa1-xAs/GaAs multiple quantum wells...
    Huang, Danhong ; Manasreh, M.O.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 81 (1997-02-01), Heft 3, S. 1305-1310
    Online academicJournal
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    Thermal annealing and photoluminescence measurements on AlxGa1-xAs-GaAs quantum-well heterostructures with Se and Mg sheet doping.
    Kaliski, R. W. ; Nam, D. W. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 62 (1987-08-01), Heft 3, S. 998-1005
    Online academicJournal
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    Supermode behavior of coupled two-stripe AlxGa1-xAs-GaAs quantum-well heterostructure lasers.
    Jackson, G. S. ; Holonyak, N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 62 (1987-07-15), Heft 2, S. 381-385
    Online academicJournal
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    THEORETICAL STUDY OF THE POTENTIAL OF MULTIPLE QUANTUM WELL SOLAR CELLS BASED ON AlxIn1-xAs/GayIn1-yAs.
    MOUGHLI, H. ; BELGHACHI, A. ; et al.
    In: Journal of Ovonic Research, Jg. 14 (2018-05-01), Heft 3, S. 217-223
    academicJournal
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    Bistability and switching in a native-oxide-defined AlxGa1-xAs-GaAs quantum-well-heterostructure laser coupled to a linear array.
    El-Zein, N. ; Holonyak, N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 72 (1992-12-01), Heft 11, S. 5514-5516
    Online academicJournal
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    Spacer layer thickness fluctuation scattering in a modulation-doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As/GaAs/Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As quantum well.
    Cheng-Yan, Gu ; Gui-Peng, Liu ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 21 (2012-10-01), Heft 10, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Photopumped laser operation of AlxGa1-xAs-GaAs quantum well heterostructures with Se and Mg sheet doping.
    Kaliski, R. W. ; Holonyak, N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 49 (1986-11-17), Heft 20, S. 1390-1392
    Online academicJournal
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    Ultrafast optical nonlinearities of type II AlxGa1-xAs/AlAs multiple quantum wells.
    Feldmann, J. ; Göbel, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-10-08), Heft 15, S. 1520-1522
    Online academicJournal
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    Observation of phonon-assisted laser operation of AlxGa1-xAs-GaAs quantum well heterostructures.
    Holonyak, N. ; Nam, D. W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 54 (1989-03-13), Heft 11, S. 1022-1024
    Online academicJournal
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    Buried heterostructure AlxGa1-xAs-GaAs quantum well lasers by Ge diffusion from the vapor.
    Deppe, D. G. ; Plano, W. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-03-07), Heft 10, S. 825-827
    Online academicJournal
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    Continuous (300 K) photopumped laser operation of AlxGa1-xAs-GaAs quantum well heterostructures grown on strained-layer GaAs on Si.
    Kaliski, R. W. ; Holonyak, N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 50 (1987-03-30), Heft 13, S. 836-838
    Online academicJournal
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    Si-implanted and disordered stripe-geometry AlxGa1-xAs-GaAs quantum well lasers.
    Gavrilovic, P. ; Meehan, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 47 (1985-11-01), Heft 9, S. 903-905
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    Stimulated emission of photoexcited GaAs/AlxGa1-xAs single quantum wells.
    Borenstain, S. ; Fekete, D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 50 (1987-02-23), Heft 8, S. 442-444
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    Shape effect of diamagnetic susceptibility of a hydrogenic donor in a nano structured semiconductor systems.
    Rajamohan, C. ; Reuben, A. ; et al.
    In: Journal of Mathematical Chemistry, Jg. 44 (2008-10-01), Heft 3, S. 743-748
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    Ultrafast control of inelastic tunneling in a double semiconductor quantum well.
    Schüler, Michael ; Pavlyukh, Yaroslav ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-10-25), Heft 17, S. 172103-172105
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    High efficiency single quantum well graded-index separate-confinement heterostructure lasers fabricated with MeV oxygen ion implantation.
    Xiong, Fulin ; Tombrello, T. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 54 (1989-02-20), Heft 8, S. 730-732
    Online academicJournal
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    Resonant tunneling through a double GaAs/AlAs superlattice barrier, single quantum well heterostructure.
    Reed, M. A. ; Lee, J. W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 49 (1986-07-21), Heft 3, S. 158-160
    Online academicJournal
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    Stripe-geometry AlGaAs-GaAs quantum-well heterostructure lasers defined by impurity-induced layer disordering.
    Meehan, K. ; Brown, J. M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 44 (1984-04-01), Heft 7, S. 700-702
    Online academicJournal
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