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    Properties of ‘bulk’ GaAsSbN/GaAs for multi-junction solar cell application: Reduction of carbon background concentration.
    Kim, T.W. ; Forghani, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 393 (2014-05-01), S. 70-74
    Online academicJournal
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    The contribution of AsH3: Pre-flow and V/III ratio effects on heteroepitaxially grown GaAs/Ge.
    Demir, Ilkay
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 128 (2019-04-01), S. 1-8
    Online academicJournal
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    High throughput MOVPE and accelerated growth rate of GaAs for PV application.
    Ubukata, Akinori ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 509 (2019-03-01), S. 87-90
    Online academicJournal
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    Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry
    Salehzadeh, O. ; Watkins, S.P.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 325 (2011-06-15), Heft 1, S. 5-9
    Online academicJournal
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    EFFECTS OF OPERATING CONDITIONS ON THE DEPOSITION OF GaAs IN A VERTICAL CVD REACTOR.
    Baek, Jae-Sang ; Boo, Jin-Hyo ; et al.
    In: Surface Review & Letters, Jg. 15 (2008-02-01), Heft 1/2, S. 111-116
    academicJournal
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    Epitaxial Growth of GaAs on Ge/Si Substrates by MOCVD.
    Okamoto, Kotaro ; Yukawa, Teizo ; et al.
    In: Electronics & Communications in Japan, Part 2:, Jg. 68 (1985-09-01), Heft 5, S. 44-51
    academicJournal
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    Sn-seeded GaAs nanowires grown by MOVPE.
    Sun, Rong ; Vainorius, Neimantas ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 27 (2016-05-27), Heft 21, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy growth of high-mobility GaAs using trimethylgallium and arsine.
    Hanna, M. C. ; Lu, Z. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-09-10), Heft 11, S. 1120-1122
    Online academicJournal
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    Carbon tetrachloride doped AlxGa1-xAs grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cunningham, B. T. ; Baker, J. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-02-26), Heft 9, S. 836-838
    Online academicJournal
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    Use of tertiarybutylarsine for GaAs growth.
    Chen, C. H. ; Larsen, C. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 50 (1987-01-26), Heft 4, S. 218-220
    Online academicJournal
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    Organometallic vapor phase epitaxial growth of high purity GaInAs using trimethylindium.
    Kuo, C. P. ; Yuan, J. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 44 (1984-03-01), Heft 5, S. 550-552
    Online academicJournal
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