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    Ab initio theoretical study of arsine and trimethylgallium: The formation of GaAs by a stable adduct.
    Graves, Richard M. ; Scuseria, Gustavo E.
    In: Journal of Chemical Physics, Jg. 96 (1992-03-01), Heft 5, S. 3723-3731
    Online academicJournal
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    The use of azo-compounds as probes of carbon incorporation of nominally undoped metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs.
    Buchan, N. I. ; Kuech, T. F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 69 (1991-02-15), Heft 4, S. 2156-2160
    Online academicJournal
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    Millisecond time-resolved reflectance difference measurements of GaAs grown by short-pulse....
    Cui, Jie ; Zhang, Suian
    In: Applied Physics Letters, Jg. 64 (1994-06-13), Heft 24, S. 3285-3287
    Online academicJournal
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    Reflectance-difference spectroscopy study of surface reactions in atomic layer epitaxy of GaAs...
    Maa, B.Y. ; Dapkus, P.D.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 58 (1991-05-20), Heft 20, S. 2261-2263
    Online academicJournal
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    Atomic layer epitaxy of gallium arsenide with the use of atomic hydrogen.
    del Keijser, M. ; van Opdorp, C.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 58 (1991-03-18), Heft 11, S. 1187-1189
    Online academicJournal
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    Ultrahigh doping of GaAs by carbon during metalorganic molecular beam epitaxy.
    Abernathy, C. R. ; Pearton, S. J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-10-23), Heft 17, S. 1750-1752
    Online academicJournal
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    Reaction of trimethylgallium in the atomic layer epitaxy of GaAs (100).
    Yu, Ming L. ; Memmert, Ulrich ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-09-04), Heft 10, S. 1011-1013
    Online academicJournal
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    Direct writing of GaAs monolayers by laser-assisted atomic layer epitaxy.
    Karam, N. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-04-04), Heft 14, S. 1144-1146
    Online academicJournal
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    Self-limiting mechanism in the atomic layer epitaxy of GaAs.
    Tischler, M. A. ; Bedair, S. M.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 48 (1986-06-16), Heft 24, S. 1681-1683
    Online academicJournal
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    Grown-in defects in multi-epilayer GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition under different growth conditions.
    Li, Sheng S. ; Lee, D. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 47 (1985-12-01), Heft 11, S. 1180-1182
    Online academicJournal
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    Photoemission investigation of the room-temperature adsorption of trimethylgallium on GaAs surface.
    Claverie, Pierre ; Ueyama, Kosuke ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 54 (1989-02-20), Heft 8, S. 698-699
    Online academicJournal
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    Atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy growth of high-mobility GaAs using trimethylgallium and arsine.
    Hanna, M. C. ; Lu, Z. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-09-10), Heft 11, S. 1120-1122
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    Carbon tetrachloride doped AlxGa1-xAs grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cunningham, B. T. ; Baker, J. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-02-26), Heft 9, S. 836-838
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    Atomic layer epitaxy of device quality GaAs.
    Colas, E. ; Bhat, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-12-25), Heft 26, S. 2769-2771
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    Heavy carbon doping of metalorganic chemical vapor deposition grown GaAs using carbon tetrachloride.
    Cunningham, B. T. ; Haase, M. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 54 (1989-05-08), Heft 19, S. 1905-1907
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    Use of tertiarybutylarsine for GaAs growth.
    Chen, C. H. ; Larsen, C. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 50 (1987-01-26), Heft 4, S. 218-220
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    Organometallic vapor phase epitaxial growth of high purity GaInAs using trimethylindium.
    Kuo, C. P. ; Yuan, J. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 44 (1984-03-01), Heft 5, S. 550-552
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    Optical properties of very narrow GaInAs/InP quantum wells grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy.
    Grützmacher, D. ; Wolter, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-03-14), Heft 11, S. 872-873
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