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    EFFECTS OF OPERATING CONDITIONS ON THE DEPOSITION OF GaAs IN A VERTICAL CVD REACTOR.
    Baek, Jae-Sang ; Boo, Jin-Hyo ; et al.
    In: Surface Review & Letters, Jg. 15 (2008-02-01), Heft 1/2, S. 111-116
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Grown-in defects in multi-epilayer GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition under different growth conditions.
    Li, Sheng S. ; Lee, D. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 47 (1985-12-01), Heft 11, S. 1180-1182
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Catalyst-free selective-area epitaxy of GaAs nanowires by metal-organic chemical vapor deposition using triethylgallium.
    Kim, Hyunseok ; Ren, Dingkun ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-02-23), Heft 8, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Atomic layer epitaxy of device quality GaAs.
    Colas, E. ; Bhat, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-12-25), Heft 26, S. 2769-2771
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
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