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    Zn-doping of GaAs nanowires grown by Aerotaxy.
    Yang, Fangfang ; Messing, Maria E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 181-186
    Online academicJournal
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    Properties of ‘bulk’ GaAsSbN/GaAs for multi-junction solar cell application: Reduction of carbon background concentration.
    Kim, T.W. ; Forghani, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 393 (2014-05-01), S. 70-74
    Online academicJournal
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    High throughput MOVPE and accelerated growth rate of GaAs for PV application.
    Ubukata, Akinori ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 509 (2019-03-01), S. 87-90
    Online academicJournal
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    Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry
    Salehzadeh, O. ; Watkins, S.P.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 325 (2011-06-15), Heft 1, S. 5-9
    Online academicJournal
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    Novel gas-switching sequence using group-III pre-flow (GIIIP) method for fabrication of InGaP on GaAs hetero-interface by MOVPE
    Nakano, T. ; Nakano, Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 296 (2006-11-01), Heft 2, S. 179-185
    Online academicJournal
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    The kinetics of parasitic growth in GaAs MOVPE
    Clayton, A.J. ; Irvine, S.J.C.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 300 (2007-03-15), Heft 2, S. 277-283
    Online academicJournal
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    Characterisation of GaAsN layers grown by MOVPE
    Pelosi, Claudio ; Attolini, Giovanni ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 287 (2006-01-25), Heft 2, S. 625-628
    Online academicJournal
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    Size- and shape-controlled GaAs nano-whiskers grown by MOVPE: a growth study
    Borgström, M. ; Deppert, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004-01-02), Heft 1/2, S. 18-22
    Online academicJournal
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