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    Study of Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Deposition by MOVPE from Trimethylgallium and Oxygen in a Wide Temperature Range.
    Lundin, V. V. ; Rodin, S. N. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 49 (2023-12-04), S. S211- (4S.)
    Online academicJournal
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    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers.
    Hospodková, Alice ; Čížek, Jakub ; et al.
    In: Materials (1996-1944), Jg. 15 (2022-10-01), Heft 19, S. 6916-6928
    Online academicJournal
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    Source Materials and Methods for Gallium Ion Implantation
    Tang, Ying ; Yedave, Sharad ; et al.
    In: 2018 22nd International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), 2018-09-01, S. 215-218
    Online Konferenz
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    Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor.
    Niu, Huidan ; Yao, Weizhen ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 25 (2023-02-28), Heft 8, S. 1263-1269
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Optimization of Gallium Nitride Metalorganic Chemical Vapor Deposition Process.
    George, Pradeep ; Meng, Jiandong ; et al.
    In: Journal of Heat Transfer, Jg. 137 (2015-06-01), Heft 6, S. 1-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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