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    Flexible fast responding solar-blind photodetectors based on (TmGa)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> films grown on mica.
    Qu, Qiulin ; Liu, Qi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 120 (2022-03-21), Heft 12, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Improved crystalline quality of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing TMGa pulse flow into the nucleation stage.
    Wu, Hualong ; Wang, Hailong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 490 (2018-05-15), S. 56-60
    Online academicJournal
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    Magnetic properties and magnetocaloric effect in TmGa and HoGa single crystals
    Gao, Tian ; Nishimura, Katsuhiko ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 158 (2013-03-22), S. 1-4
    Online academicJournal
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    Analysis of TMGa output of on-board cylinders for chemical vapor deposition.
    Woelk, E. ; DiCarlo, R.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 452 (2016-10-15), S. 226-229
    Online academicJournal
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    Effect of TMGa flux on GaN films deposited on Ti coated on glass substrates at low temperature.
    Wang, En ; Ping ; et al.
    In: Chinese Science Bulletin, Jg. 58 (2013-10-15), Heft 30, S. 3617-3623
    academicJournal
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    Plasma Enhanced atomic layer deposited amorphous gallium oxide thin films using novel trimethyl[N-(2-methoxyethyl)-2-methylpropan-2-amine]gallium.
    Hong, Tae ; Hyun ; et al.
    In: Ceramics International, Jg. 47 (2021-01-15), Heft 2, S. 1588-1593
    Online academicJournal
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    Study of Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Deposition by MOVPE from Trimethylgallium and Oxygen in a Wide Temperature Range.
    Lundin, V. V. ; Rodin, S. N. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 49 (2023-12-04), S. S211- (4S.)
    Online academicJournal
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    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers.
    Hospodková, Alice ; Čížek, Jakub ; et al.
    In: Materials (1996-1944), Jg. 15 (2022-10-01), Heft 19, S. 6916-6928
    Online academicJournal
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    Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor.
    Niu, Huidan ; Yao, Weizhen ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 25 (2023-02-28), Heft 8, S. 1263-1269
    Online academicJournal
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    Effect of Gallium Source Material on the Transparent Conducting Properties of Ga:ZnO Thin Films Through Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
    Thi Thanh Ho, Van ; Giang Bach, Long ; et al.
    In: Molecular Crystals & Liquid Crystals, Jg. 623 (2015-12-01), Heft 1, S. 433-443
    Online academicJournal
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    The electrical properties of low pressure chemical vapor deposition Ga doped ZnO thin films depending on chemical bonding configuration.
    Jung, Hanearl ; Kim, Doyoung ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 297 (2014-04-01), S. 125-129
    Online academicJournal
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    Characterization of Ga/HZSM-5 and Ga/HMOR synthesized by chemical vapor deposition of trimethylgallium.
    García-Sánchez, M. ; Magusin, P. C. M. M. ; et al.
    In: Journal of Catalysis, Jg. 219 (2003-10-25), Heft 2, S. 352-361
    Online academicJournal
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    Effects of Ga Supply on the Growth of (11‐22) AlN on <italic>m</italic>‐Plane (10‐10) Sapphire Substrates.
    Jo, Masafumi ; Hirayama, Hideki
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 255 (2018-05-01), Heft 5, S. 1-4
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    On the determination of alloy composition using optical spectroscopy in MOVPE grown InGaN layers on Si(111).
    Singh, Vikash K. ; Taya, Payal ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 134 (2019-10-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Optimization of Gallium Nitride Metalorganic Chemical Vapor Deposition Process.
    George, Pradeep ; Meng, Jiandong ; et al.
    In: Journal of Heat Transfer, Jg. 137 (2015-06-01), Heft 6, S. 1-8
    academicJournal
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    Decomposition of trimethylgallium in the downstream region of a near afterglow plasma.
    Sheng, T. ; Pihlstrom, B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-12-04), Heft 23, S. 2411-2413
    Online academicJournal
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    Reaction mechanisms in the organometallic vapor phase epitaxial growth of GaAs.
    Larsen, C. A. ; Buchan, N. I. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-02-08), Heft 6, S. 480-482
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    Growth kinetics of Ga x In(1−x)P nanowires using triethylgallium as Ga precursor.
    Dagytė, Vilgailė ; Heurlin, Magnus ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-09-28), Heft 39, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Electronic passivation of silicon surfaces by thin films of atomic layer deposited gallium oxide.
    Allen, T. G. ; Cuevas, A.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-07-21), Heft 3, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Growth characteristics and properties of Ga-doped ZnO (GZO) thin films grown by thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition.
    Nam, Taewook ; Lee, Chang Wan ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 295 (2014-03-15), S. 260-265
    Online academicJournal
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