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    Nuclear spin orientation by electrical spin injection in an AlxGa1-xAs/GaAs spin-polarized light-emitting diode
    Van Dorpe, Pol ; Van Roy, W ; et al.
    2005
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Fine structure of DX(Sn) centers in AlxGa1-xAs
    Zhan, H. H. ; Kang, J. Y. ; et al.
    In: http://dx.doi.org/10.1063/1.368614, 1998
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    A quantitative analysis of electronic transport in n- and p-type modulation-doped GaAsBi/AlGaAs quantum well structures
    Donmez, Omer ; Erol, Ayse ; et al.
    2021
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped
    Misuraca J (Misuraca Jennifer) ; Trbovic J (Trbovic Jelena) ; et al.
    2010
    report
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Growth Of Epilayers Of GaAs And AlxGa1-x As By MOVPE And Their Characterization
    Paul, Shashi ; Shivashankar, S A
    1995
    Online Hochschulschrift
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    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Temperature sensitive photoconductivity observed in InN layers
    Guo, Lei ; Wang, Xinqiang ; et al.
    In: SCI ; EI, 2013
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Modeling the optical properties of AlSb, GaSb, and InSb
    Djurisic, A.B. ; Li, E.H. ; et al.
    2000
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Modeling the optical constants of GaP, InP, and InAs
    Djurisic, Aleksandra B. ; Rakic, Aleksandar D. ; et al.
    1999
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Volltext
    Wie komme ich dran?

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